[發(fā)明專利]一種深紫外發(fā)光二極管的結構及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110894455.2
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113594314B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設計）人: 賴穆人;劉銳森;劉召忠;藍文新;林輝;楊小利
• 申請（專利權）人: 江西力特康光學有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 贛州智府晟澤知識產權代理事務所(普通合伙) 36128
• 代理人: 楊金根

本發(fā)明公開了一種深紫外發(fā)光二極管的結構及其制備方法，該結構及方法旨在改善現(xiàn)今深紫外發(fā)光二極管的電激發(fā)光頻譜特性，特別是降低頻譜的半高寬，不僅提升光的純度也提高了其發(fā)光效率，從而促進在殺菌及光療的應用上的有效性。該發(fā)光二極管至少包括：襯底、位于所述襯底一側表面的AlN層、位于所述AlN層表面的N型Alsubgt;a/subgt;Gasubgt;1?a/subgt;N歐姆接觸層、位于所述N型Alsubgt;a/subgt;Gasubgt;1?a/subgt;N歐姆接觸層表面的Alsubgt;b/subgt;Gasubgt;1?b/subgt;N/AlN/Alsubgt;c/subgt;Gasubgt;1?c/subgt;N介面平坦化多層結構、位于所述Alsubgt;b/subgt;Gasubgt;1?b/subgt;N/AlN/Alsubgt;c/subgt;Gasubgt;1?/subgt;subgt;c/subgt;N介面平坦化多層結構表面的Alsubgt;x/subgt;Gasubgt;1?x/subgt;N第一量子壘層、位于所述Alsubgt;x/subgt;Gasubgt;1?x/subgt;N第一量子壘層表面的Alsubgt;y/subgt;Gasubgt;1?y/subgt;N/Alsubgt;x/subgt;Gasubgt;1?x/subgt;N多量子阱有源層、位于所述Alsubgt;y/subgt;Gasubgt;1?y/subgt;N/Alsubgt;x/subgt;Gasubgt;1?x/subgt;N多量子阱有源層表面的Alsubgt;z/subgt;Gasubgt;1?z/subgt;N最后量子壘層、位于所述Alsubgt;z/subgt;Gasubgt;1?z/subgt;N最后量子壘層表面的P型Alsubgt;d/subgt;Gasubgt;1?d/subgt;N電子阻擋層、位于所述P型Alsubgt;d/subgt;Gasubgt;1?d/subgt;N電子阻擋層表面的P型Alsubgt;e/subgt;Gasubgt;1?/subgt;subgt;e/subgt;N歐姆接觸層。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體發(fā)光二極管的技術領域，具體屬于一種深紫外發(fā)光二極管的結構及其制備方法。

背景技術

LED(即發(fā)光二極管)是一種使用固態(tài)半導體所制作而成的發(fā)光器件，近年來，憑借著其安全、體積小、環(huán)保、高效、低能耗等特點，已經普遍取代傳統(tǒng)的白熾燈。另外，紫外光波段的LED光源也廣泛地應用于工業(yè)油墨固化，進而逐漸地應用于醫(yī)療、食品處理、細菌消殺等多個領域。通常，紫外光根據(jù)波長可被劃分為UVA(Ultraviolet?A，長波紫外光)、UVB(Ultraviolet?B，中波紫外光)和UVC(Ultraviolet?C，短波紫外光)，UVA、UVB和UVC對應的波長范圍分別為315～400nm、280～315nm及100～280nm，而UVB和UVC統(tǒng)稱為深紫外光波段(DUV)。其中，UVC廣泛地應用于表面、空氣及水消毒，當UVC紫外光照射到微生物、細菌或病毒時，會被細胞中的蛋白質、核苷酸(DNA、RNA的主要成分)等物質吸收，高劑量吸收會導致其之細胞死亡；若是低劑量吸收則會導致失去其復制能力，無法再繁殖，這種機理稱為失活。另外，UVB廣泛地應用于免疫系統(tǒng)上的醫(yī)學光療法，例如波長在308～310nm范圍內可以治療牛皮廯、白癲瘋及銀屑病；波長在292～295nm范圍內，其能增加人體對維他命D3的吸收。除此之外，UVB波長范圍亦可以促進植物葉綠素的分泌等。然而，由于地球大氣層的阻隔，太陽光中的UVC無法順利到達地球表面，只有部分波長較長的UVB的光可以傳透球大氣層。因此，目前此類產品大多數(shù)由人工制作而成的。傳統(tǒng)是以汞燈為主，但由于水俁公約已正式生效，階段性地禁止開采新的原生汞礦及使用相關汞的產品，所以紫外光波段的LED逐漸取代汞燈光源已成必然。