[發(fā)明專(zhuān)利]一種深紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110894455.2
• 申請(qǐng)日: 2021-08-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113594314B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴穆人;劉銳森;劉召忠;藍(lán)文新;林輝;楊小利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江西力特康光學(xué)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 贛州智府晟澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 36128
• 代理人: 楊金根

1.一種深紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管至少包括：

襯底；

位于所述襯底一側(cè)表面的AlN層；

位于所述AlN層表面的N型Al_aGa_1-aN歐姆接觸層；

位于所述N型Al_aGa_1-aN歐姆接觸層表面的Al_bGa_1-bN/AlN/Al_cGa_1-cN介面平坦化多層結(jié)構(gòu)；

位于所述Al_bGa_1-bN/AlN/Al_cGa_1-cN介面平坦化多層結(jié)構(gòu)表面的Al_xGa_1-xN第一量子壘層；

位于所述Al_xGa_1-xN第一量子壘層表面的Al_yGa_1-yN/Al_xGa_1-xN多量子阱有源層；

位于所述Al_yGa_1-yN/Al_xGa_1-xN多量子阱有源層表面的Al_zGa_1-zN最后量子壘層；

位于所述Al_zGa_1-zN最后量子壘層表面的P型Al_dGa_1-dN電子阻擋層；

位于所述P型Al_dGa_1-dN電子阻擋層表面的P型Al_eGa_1-eN歐姆接觸層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型Al_aGa_1-aN歐姆接觸層中，0.3＜a＜1；所述Al_bGa_1-bN/AlN/Al_cGa_1-cN介面平坦化多層結(jié)構(gòu)中，0.3＜c≤b＜1，且b≤a；所述Al_yGa_1-yN/Al_xGa_1-xN多量子阱有源層中，0.4＜y＜x＜0.8，且x＜c；所述Al_zGa_1-zN最后量子壘層中，0.5＜z≤1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Al_bGa_1-bN/AlN/Al_cGa_1-cN介面平坦化多層結(jié)構(gòu)中，Al_bGa_1-bN層的厚度為1～5nm，AlN層的厚度為1～2nm，Al_cGa_1-cN層的厚度為1～5nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種深紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Al_bGa_1-bN/AlN/Al_cGa_1-cN介面平坦化多層結(jié)構(gòu)中，Al_bGa_1-bN層的厚度為2.5～3.5nm，AlN層的厚度為1～1.5nm，Al_cGa_1-cN層的厚度為2.5～3.5nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種深紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Al_bGa_1-bN/AlN/Al_cGa_1-cN介面平坦化多層結(jié)構(gòu)中，Al_bGa_1-bN層、AlN層及Al_cGa_1-cN層均摻雜Si或Ge成為N型半導(dǎo)體層。