[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件解理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110894220.3
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113345838B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊國文;王希敏;惠利省
• 申請（專利權(quán)）人: 度亙激光技術(shù)（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 楊萌

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件解理方法，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體器件解理方法包括如下步驟：通過等離子刻蝕或者化學腐蝕的方式在半導(dǎo)體器件的上表面形成向下表面一側(cè)凹陷的凹陷結(jié)構(gòu)，自所述半導(dǎo)體器件的上表面朝向下表面方向，所述凹陷結(jié)構(gòu)的寬度逐漸減小；在半導(dǎo)體器件的上表面形成絕緣保護層;將半導(dǎo)體器件沿凹陷結(jié)構(gòu)的深度方向進行解理。凹陷結(jié)構(gòu)的寬度呈逐漸遞減的形式向半導(dǎo)體器件內(nèi)部延伸，從該位置處進行解理，可以在解理時能夠使應(yīng)力更集中。在半導(dǎo)體器件上表面形成絕緣保護層，可以防止在后續(xù)解理后的小半導(dǎo)體器件封裝過程中，由于焊料容易移到半導(dǎo)體器件側(cè)面，導(dǎo)致P面電子與N面襯底電接觸形成短路和漏電。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種半導(dǎo)體器件解理方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體的加工過程中，需要將一整塊半導(dǎo)體器件解理成多個單個小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有技術(shù)中是利用劃刀在整塊半導(dǎo)體器件上劃切割線，然后沿著切割線分離半導(dǎo)體器件，該方法類似于切割玻璃板的方法。

采用上述辦法切割整塊半導(dǎo)體器件時，因為劃刀的刀刃寬度較大，劃切割線的寬度也比較大，半導(dǎo)體器件解理時，會因為應(yīng)力不集中造成單個小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在分離時產(chǎn)生破碎，導(dǎo)致小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的品質(zhì)下降。同時，解理后的小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)封裝時采用的焊料為銦，焊料容易爬移到小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的側(cè)面，準連續(xù)脈沖工作下，銦焊料會發(fā)生電遷移，形成漏電通道。銦焊料形成的漏電通道的電阻遠小于小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)P面和N面之間的電阻，小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通電時，大電流從漏電通道流過，導(dǎo)致小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的P面和N面電接觸形成短路。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件解理方法，以緩解現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件解理時，應(yīng)力不集中導(dǎo)致的單個小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)邊緣破碎，品質(zhì)下降，以及解理后的小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的P面和N面電接觸形成短路的技術(shù)問題。

本發(fā)明實施例提供的一種半導(dǎo)體器件解理方法，所述半導(dǎo)體器件解理方法包括如下步驟：

S10.通過等離子刻蝕或者化學腐蝕的方式在半導(dǎo)體器件的上表面形成向下表面一側(cè)凹陷的凹陷結(jié)構(gòu)，自所述半導(dǎo)體器件的上表面朝向下表面方向，所述凹陷結(jié)構(gòu)的寬度逐漸減小；

S20. 在半導(dǎo)體器件的上表面形成絕緣保護層;

S30. 將半導(dǎo)體器件沿凹陷結(jié)構(gòu)的深度方向進行解理。

進一步的，所述半導(dǎo)體器件解理方法還包括在步驟S10之前進行的步驟：

S1. 在半導(dǎo)體器件的上表面形成光阻層，且光阻層上具有貫穿所述光阻層上下表面的第一開口；

S2.以帶有第一開口的光阻層為掩模，對半導(dǎo)體器件進行刻蝕并形成第一溝槽；

S3.在第一溝槽的相對兩側(cè)壁上分別形成第一側(cè)墻，同一個第一溝槽內(nèi)的兩個所述第一側(cè)墻之間具有間隙；

S4. 以同一個第一溝槽內(nèi)的兩個所述第一側(cè)墻為掩模對第一溝槽的底部進行刻蝕，形成第二溝槽，所述第二溝槽的底面用于形成凹陷結(jié)構(gòu)。

進一步的，所述步驟S3具體包括步驟：

在第一溝槽內(nèi)壁上形成覆蓋層，刻蝕并去除覆蓋層的中間部分，覆蓋層剩余的兩側(cè)部分形成第一側(cè)墻；

或者，利用化學氣相沉積形成第一側(cè)墻。

進一步的，在步驟S10中通過等離子刻蝕的方式在半導(dǎo)體器件的上表面形成向下表面一側(cè)凹陷的凹陷結(jié)構(gòu)的步驟具體包括：

S111. 利用化學氣相沉積的方式在所述第二溝槽的相對兩側(cè)壁分別形成第二側(cè)墻，自上而下，兩個第二側(cè)墻之間的距離逐漸減小，且兩個第二側(cè)墻的底部接觸；

S112.以光阻層、第一側(cè)墻和第二側(cè)墻作為掩模，對第二溝槽的底面進行等離子體刻蝕，第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件被刻蝕后在第二溝槽的底面上形成凹陷結(jié)構(gòu)。