[發明專利]半導體器件解理方法

有效

• 申請號: 202110894220.3
• 申請日: 2021-08-05
• 公開（公告）號: CN113345838B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 楊國文;王希敏;惠利省
• 申請（專利權）人: 度亙激光技術（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 楊萌

1.一種半導體器件解理方法，其特征在于，所述半導體器件解理方法包括如下步驟：

S10.通過等離子刻蝕在半導體器件（100）的上表面形成向下表面一側凹陷的凹陷結構（400），自所述半導體器件（100）的上表面朝向下表面方向，所述凹陷結構（400）的寬度逐漸減小；

S20. 在半導體器件（100）的上表面形成絕緣保護層（500）;

S30.將半導體器件（100）沿凹陷結構（400）的深度方向進行解理；

所述半導體器件解理方法還包括在步驟S10之前進行的步驟：

S1. 在半導體器件（100）的上表面形成光阻層（200），且光阻層（200）上具有貫穿所述光阻層上下表面的第一開口（210）；

S2.以帶有第一開口（210）的光阻層（200）為掩模，對半導體器件（100）進行刻蝕并形成第一溝槽（110）；

S3.在第一溝槽（110）的相對兩側壁上分別形成第一側墻（310），同一個第一溝槽（110）內的兩個所述第一側墻（310）之間具有間隙；

S4.以同一個第一溝槽（110）內的兩個所述第一側墻（310）為掩模對第一溝槽（110）的底部進行刻蝕，形成第二溝槽（120），所述第二溝槽（120）的底面用于形成凹陷結構（400）；

在步驟S10中通過等離子刻蝕的方式在半導體器件（100）的上表面形成向下表面一側凹陷的凹陷結構（400）的步驟具體包括：

S111. 利用化學氣相沉積的方式在所述第二溝槽（120）的相對兩側壁分別形成第二側墻（320），自上而下，兩個第二側墻（320）之間的距離逐漸減小，且兩個第二側墻（320）的底部接觸；

S112.以光阻層（200）、第一側墻（310）和第二側墻（320）作為掩模，對第二溝槽（120）的底面進行等離子體刻蝕，第二側墻（320）結構及半導體器件（100）被刻蝕后在第二溝槽（120）的底面上形成凹陷結構（400）。

2.根據權利要求1所述的半導體器件解理方法，其特征在于，所述步驟S3具體包括步驟：

在第一溝槽（110）內壁上形成覆蓋層，刻蝕并去除覆蓋層的中間部分，覆蓋層剩余的兩側部分形成第一側墻（310）；

或者，利用化學氣相沉積形成第一側墻（310）。

3.根據權利要求1所述的半導體器件解理方法，其特征在于，所述第一側墻（310）和第二側墻（320）的材料為氧化硅或氮化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件解理方法，其特征在于，所述步驟S112中：所述等離子體刻蝕采用電感耦合等離子體工藝，電感耦合等離子體工藝中源功率為1400W-1600W，偏壓功率為90W-110W，氯氣流量為18ml/min-22ml/min，三氯化硼的流量為6ml/min-10ml/min，氬氣的流量為4 ml/min-6ml/min。

5.根據權利要求1所述的半導體器件解理方法，其特征在于，所述絕緣保護層（500）的厚度為100-200nm。

6.根據權利要求1所述的半導體器件解理方法，其特征在于，所述半導體器件解理方法還包括步驟：

提供一腔室，所述腔室包括鈍化工位和解理工位；

在鈍化工位進行在半導體器件（100）的上表面形成絕緣保護層（500）的步驟；

在解理工位進行將半導體器件（100）沿凹陷結構（400）的深度方向進行解理的步驟；

在半導體器件（100）解理后，將解理后的半導體器件（100）運輸到鈍化工位，并進行鈍化處理，以在半導體器件（100）的解理面上形成鈍化層。