[發明專利]一種用于靜電放電中的場效應可控硅結構有效

申請號：	202110892105.2	申請日：	2021-08-04
公開（公告）號：	CN113345886B	公開（公告）日：	2021-11-30
發明（設計）人：	朱偉東;趙泊然	申請（專利權）人：	江蘇應能微電子有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L29/74
代理公司：	無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104	代理人：	曹祖良;陳麗麗
地址：	213000 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種用于靜電放電中的場效應可控硅結構
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【權利要求書】：

1.一種用于靜電放電中的場效應可控硅結構，其特征在于，包括：第一導電類型襯底和設置在第一導電類型襯底上的第二導電類型外延層，所述第二導電類型外延層內設置第二導電類型阱區和第一導電類型阱區，所述第二導電類型阱區與所述第一導電類型阱區相切設置，所述第二導電類型阱區內設置有第一N+區和第一P+區，所述第一N+區和所述第一P+區相切設置，所述第一導電類型阱區內設置有第二N+區和第二P+區，所述第二N+區和所述第二P+區相切設置，所述第一P+區和所述第二N+區相鄰設置，所述第一P+區與所述第二N+區之間設置溝槽；

其中，所述溝槽內形成柵極氧化層，所述柵極氧化層上方形成多晶硅柵電極；

所述第一N+區和所述第一P+區連接后作為場效應可控硅結構的陽極，所述多晶硅柵電極、所述第二N+區和所述第二P+區三者相連后作為場效應可控硅結構的陰極；或者，

所述第一N+區和所述第一P+區連接后作為場效應可控硅結構的陽極，所述第二N+區和所述第二P+區連接后作為場效應可控硅結構的陰極，所述多晶硅柵電極作為獨立電極。

2.根據權利要求1所述的用于靜電放電中的場效應可控硅結構，其特征在于，所述第一導電類型襯底包括P型襯底，所述第二導電類型外延層包括N型外延層。

3.根據權利要求1所述的用于靜電放電中的場效應可控硅結構，其特征在于，所述第一導電類型阱區包括P型阱區，所述第二導電類型阱區包括N型阱區。

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