[發明專利]掩膜版、陣列基板的制作方法、陣列基板在審
| 申請號: | 202110884556.1 | 申請日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN113703281A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發明(設計)人: | 李旺;李榮榮 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/70 | 分類號: | G03F1/70;G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 晏波 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道石龍社區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 陣列 制作方法 | ||
本發明公開一種掩膜版、陣列基板的制作方法、陣列基板,陣列基板上涂布負性光阻劑,形成色阻單元,采用掩膜版對色阻單元進行光刻處理,由于掩膜版上形成有相鄰設置的第一曝光區和第二曝光區,由于在相同區域面積上,第一曝光區上的透光量大于第二曝光區上的透光量,使得色阻單元對應第一曝光區接收到的光強大于色阻單元對應第二曝光區接收到的光強,由于對色阻單元進行光刻處理過程所用的光強度越低,光刻處理后得到的子像素對應光強度越低處的厚度越薄,從而使得光刻處理后得到的子像素對應第二曝光區的厚度減薄,使得相鄰子像素的邊緣區域交疊時,交疊部分搭接至數據線產生的牛角高度減小,提高了液晶顯示器的品質。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種掩膜版、陣列基板的制作方法、陣列基板。
背景技術
COA(Color Filter on Array)技術是一種將彩色濾光層直接制作在陣列基板上的一種集成技術,由于數據線寬度較窄,彩色濾光片包括R(紅)子像素、G(綠)子像素及B(藍)子像素,相鄰子像素邊緣交疊并搭接在數據線位置,其中R(紅)、G(綠)、B(藍)子像素之間交疊而形成的突起稱之為牛角。現有技術中,通過COA技術制成的陣列基板中相鄰子像素邊緣交疊處牛角存在過大的問題,而牛角過大會影響牛角附近液晶層的排列方向,從而導致像素邊緣顯示亮度與像素中心不一致,影響顯示屏品質。
發明內容
本發明的主要目的是提出一種掩膜版、陣列基板的制作方法、陣列基板,旨在降低相鄰子像素邊緣交疊處牛角高度來提高液晶顯示器的品質。
為實現上述目的,本發明提出一種掩膜版,用于在光刻工藝中對陣列基板作用,以在所述陣列基板上形成子像素,所述掩膜版上形成有相鄰設置的第一曝光區和第二曝光區,所述第一曝光區用于在所述光刻工藝中對應所述陣列基板的數據線和柵極信號線之間圍合的像素開口區域設置,所述第二曝光區用于在光刻工藝中對應所述像素開口區域邊緣及所述數據線設置,在相同區域面積上,所述第一曝光區上的透光量大于所述第二曝光區上的透光量。
可選地,所述第一曝光區的透光量為100%,所述第二曝光區的透光量為20%~70%,且所述第二曝光區的寬度為3μm~15μm;和/或,
沿所述第一曝光區朝向所述第二曝光區方向上,所述第二曝光區的透光量呈遞減設置。
可選地,所述第二曝光區具有在沿所述第一曝光區朝向所述第二曝光區方向上分布的第一曝光段,第二曝光段及第三曝光段,其中:
所述第一曝光段的透光量為50~70%;和/或,
所述第二曝光段的透光量為30~50%;和/或,
所述第三曝光段的透光量為20~40%。
可選地,所述掩膜版對應在所述第二曝光區形成有交替間隔設置的多個透光部和多個遮光部。
可選地,多個所述遮光部和/或多個所述透光部至少部分設置為長條形;或者,
多個所述遮光部和/或多個所述透光部至少部分設置為方形;或者,
所述遮光部和所述透光部均呈長條形設置,且兩端均能夠延伸至所述第二曝光區寬度方向的兩側,多個所述遮光部和多個所述透光部沿所述第二曝光區長度方向交替間隔設置;或者,
所述遮光部和所述透光部均呈長條形設置,且兩端均能夠延伸至所述第二曝光區長度方向的兩側,多個所述遮光部和多個所述透光部沿所述第二曝光區寬度方向交替間隔設置;或者,
所述遮光部和所述透光部呈方形設置,多個所述遮光部和多個所述透光部沿所述第二曝光區長度方向和寬度方向上均交替間隔設置。
基于此,本發明還提出一種陣列基板的制作方法,包括以下步驟:
提供基板;
在所述基板上先后形成柵極信號線和數據線;
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
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