[發(fā)明專利]掩膜版、陣列基板的制作方法、陣列基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110884556.1 | 申請日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN113703281A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李旺;李榮榮 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/70 | 分類號: | G03F1/70;G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 44287 | 代理人: | 晏波 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 陣列 制作方法 | ||
1.一種掩膜版,用于在光刻工藝中對陣列基板作用,以在所述陣列基板上形成子像素,其特征在于,所述掩膜版上形成有相鄰設(shè)置的第一曝光區(qū)和第二曝光區(qū),所述第一曝光區(qū)用于在所述光刻工藝中對應所述陣列基板的數(shù)據(jù)線和柵極信號線之間圍合的像素開口區(qū)域設(shè)置,所述第二曝光區(qū)用于在光刻工藝中對應所述像素開口區(qū)域的邊緣及所述數(shù)據(jù)線設(shè)置,在相同區(qū)域面積上,所述第一曝光區(qū)上的透光量大于所述第二曝光區(qū)上的透光量。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一曝光區(qū)的透光量為100%,所述第二曝光區(qū)的透光量為20%~70%,且所述第二曝光區(qū)的寬度為3μm~15μm;和/或,
沿所述第一曝光區(qū)朝向所述第二曝光區(qū)方向上,所述第二曝光區(qū)的透光量呈遞減設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述第二曝光區(qū)具有在沿所述第一曝光區(qū)朝向所述第二曝光區(qū)方向上分布的第一曝光段,第二曝光段及第三曝光段,其中:
所述第一曝光段的透光量為50~70%;和/或,
所述第二曝光段的透光量為30~50%;和/或,
所述第三曝光段的透光量為20~40%。
4.如權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版對應在所述第二曝光區(qū)形成有交替間隔設(shè)置的多個透光部和多個遮光部。
5.如權(quán)利要求4所述的掩膜版,其特征在于,多個所述遮光部和/或多個所述透光部至少部分設(shè)置為長條形;或者,
多個所述遮光部和/或多個所述透光部至少部分設(shè)置為方形;或者,
所述遮光部和所述透光部均呈長條形設(shè)置,且兩端均能夠延伸至所述第二曝光區(qū)寬度方向的兩側(cè),多個所述遮光部和多個所述透光部沿所述第二曝光區(qū)長度方向交替間隔設(shè)置;或者,
所述遮光部和所述透光部均呈長條形設(shè)置,且兩端均能夠延伸至所述第二曝光區(qū)長度方向的兩側(cè),多個所述遮光部和多個所述透光部沿所述第二曝光區(qū)寬度方向交替間隔設(shè)置;或者,
所述遮光部和所述透光部呈方形設(shè)置,多個所述遮光部和多個所述透光部沿所述第二曝光區(qū)長度方向和寬度方向上均交替間隔設(shè)置。
6.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供基板;
在所述基板上先后形成柵極信號線和數(shù)據(jù)線;
采用如權(quán)利要求1至5任意一項所述的掩膜版,以在所述基板上光刻形成彩色濾光片層,其中,所述彩色濾光片層包括多個子像素。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述“在所述基板上先后形成柵極信號線和數(shù)據(jù)線”的步驟包括:
在所述基板上形成第一金屬層;
對所述第一金屬層進行處理以形成柵極信號線;
在所述柵極信號線上依次形成無機絕緣層、半導體層及復合摻雜層;
在復合摻雜層上形成第二金屬層;
對所述第二金屬層進行處理以形成數(shù)據(jù)線。
8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述“在所述基板上先后形成柵極信號線和數(shù)據(jù)線”的步驟中所述基板、所述柵極信號線和所述數(shù)據(jù)線共同構(gòu)合成基板結(jié)構(gòu);
所述“在所述基板上先后形成柵極信號線和數(shù)據(jù)線”的步驟之后還包括:
在所述基板結(jié)構(gòu)上形成第一無機鈍化層。
9.如權(quán)利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述“采用如權(quán)利要求1至5任意一項所述的掩膜版,以在所述基板上光刻形成彩色濾光片層”的步驟之后包括:
在所述彩色濾光片層上形成第二無機鈍化層或者有機聚合物層;
在所述第二無機鈍化層或者有機聚合物層上形成氧化銦錫層,對所述氧化銦錫層進行處理以得到像素電極。
10.一種陣列基板,其特征在于,采用如權(quán)利要求6至9任意一項所述的陣列基板的制作方法的方法制作,所述陣列基板包括基板、設(shè)于所述基板且沿背離所述基板方向一側(cè)設(shè)置的柵極信號線、數(shù)據(jù)線及彩色濾光片層。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





