[發明專利]一種改善濕法刻蝕均一性的方法在審
| 申請號: | 202110883433.6 | 申請日: | 2021-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN113594034A | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 陳婷;涂良成;楊山清;官盛果;龔躍武 | 申請(專利權)人: | 中山大學南昌研究院 |
| 主分類號: | H01L21/3213 | 分類號: | H01L21/3213 |
| 代理公司: | 南昌合達信知識產權代理事務所(普通合伙) 36142 | 代理人: | 陳龍 |
| 地址: | 330000 江西省南昌*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 濕法 刻蝕 均一 方法 | ||
1.一種改善濕法刻蝕均一性的方法,其特征在于,包括應用于濕法刻蝕由金形成的單層膜的刻蝕液。
2.根據權利要求1所述的一種改善濕法刻蝕均一性的方法,其特征在于,所述刻蝕液由以下質量百分比組分組成:碘單質1.5%~5%,碘化鉀2%~5%,純水35%~50%和小分子醇40%~65%。
3.根據權利要求2所述的一種改善濕法刻蝕均一性的方法,其特征在于,所述小分子醇為乙醇或異丙醇中的一種。
4.根據權利要求2所述的一種改善濕法刻蝕均一性的方法,其特征在于,所述刻蝕液由以下質量百分比組分組成:碘單質1.5%~3.5%,碘化鉀2.5%~4%,純水35%~45%和小分子醇50%~60%。
5.根據權利要求3所述的一種改善濕法刻蝕均一性的方法,其特征在于,所述刻蝕液由以下質量百分比組分組成:碘單質2%,碘化鉀3%,純水40%和乙醇55%。
6.根據權利要求5所述的一種改善濕法刻蝕均一性的方法,其特征在于,所述刻蝕液的制備,包括如下步驟:
S1.將碘單質、碘化鉀和純水按比例混合均勻;
S2.按比例添加乙醇,混合均勻,得到刻蝕液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





