[發(fā)明專利]一種太陽系多因素綜合環(huán)境模擬裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110878411.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113636115B | 公開(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李麗芳;吳宜勇;閆繼宏;孫承月;劉榮強(qiáng);王雙雨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B64G7/00 | 分類號(hào): | B64G7/00 |
| 代理公司: | 哈爾濱市陽光惠遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23211 | 代理人: | 孫續(xù) |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽系 因素 綜合 環(huán)境模擬 裝置 | ||
本發(fā)明提出了一種太陽系多因素綜合環(huán)境模擬裝置,屬于綜合環(huán)境模擬領(lǐng)域。解決了現(xiàn)有裝置難以對(duì)空間綜合環(huán)境進(jìn)行模擬的問題。它包括綜合輻照艙、空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙,所述綜合輻照艙與空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙相連,所述綜合輻照艙上部與輻照源相連,所述輻照源包括3個(gè)輻照電子源、3個(gè)輻照質(zhì)子源、1個(gè)輻照太陽模擬器和2個(gè)輻照紫外源,所述空間粉塵環(huán)境艙與第一電子源、第一紫外源、X射線源和粉塵加速器相連,所述空間污染環(huán)境艙與第二電子源、第二紫外源和原子氧源相連,所述綜合輻照艙、空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙均與真空泵站相連。它主要用于空間綜合環(huán)境模擬。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于綜合環(huán)境模擬領(lǐng)域,特別是涉及一種太陽系多因素綜合環(huán)境模擬裝置。
背景技術(shù)
由于空間環(huán)境中同時(shí)包含多種空間環(huán)境因素,而這些空間環(huán)境因素對(duì)物質(zhì)的作用存在耦合效應(yīng),并不等同于單一環(huán)境因素的簡(jiǎn)單疊加,因此需要對(duì)具有關(guān)聯(lián)性的空間環(huán)境因素進(jìn)行綜合模擬,以實(shí)現(xiàn)空間環(huán)境模擬的“真實(shí)性”。
真空、熱沉、高低溫、輻照環(huán)境等是普遍存在于空間的最重要的環(huán)境因素,是引起材料損傷、器件性能退化、單粒子效應(yīng)、表面充放電等航天器故障的重要因素,也是影響航天器壽命與可靠性的主要因素,而這幾種因素對(duì)物質(zhì)的作用是相互耦合的,與非真空及室溫條件下物質(zhì)的輻照損傷完全不同。如果將原子氧源、空間污染源、星球粉塵源、高速粉塵源等放入綜合輻照裝置中,將會(huì)導(dǎo)致真空度降低和交叉污染等問題,使空間輻照模擬環(huán)境受到破壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題,提出一種太陽系多因素綜合環(huán)境模擬裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種太陽系多因素綜合環(huán)境模擬裝置,它包括綜合輻照艙、空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙,所述綜合輻照艙與空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙相連,所述綜合輻照艙上部與輻照源相連,所述輻照源包括3個(gè)輻照電子源、3個(gè)輻照質(zhì)子源、1個(gè)輻照太陽模擬器和2個(gè)輻照紫外源,所述空間粉塵環(huán)境艙與第一電子源、第一紫外源、X射線源和粉塵加速器相連,所述空間污染環(huán)境艙與第二電子源、第二紫外源和原子氧源相連,所述綜合輻照艙、空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙均與真空泵站相連。
更進(jìn)一步的,所述輻照源通過單因素實(shí)驗(yàn)艙與綜合輻照艙相連。
更進(jìn)一步的,所述綜合輻照艙與空間粉塵環(huán)境艙和空間污染環(huán)境艙之間均設(shè)置有樣品轉(zhuǎn)移通道。
更進(jìn)一步的,所述3個(gè)輻照電子源分別為10MeV輻照電子源、1MeV輻照電子源和200KeV輻照電子源。
更進(jìn)一步的,所述3個(gè)輻照質(zhì)子源分別為10MeV輻照質(zhì)子源、1MeV輻照質(zhì)子源和200KeV輻照質(zhì)子源。
更進(jìn)一步的,所述2個(gè)輻照紫外源分別為VUV輻照紫外源和NUV輻照紫外源。
更進(jìn)一步的,所述X射線源提供的射線能量為10~100keV,波長0.01~10nm。
更進(jìn)一步的,所述第一電子源能量為30keV。
更進(jìn)一步的,所述原子氧源由激光發(fā)生器與氧分子發(fā)生作用產(chǎn)生,能量為0.1~10eV,通量1015/(cm2·s)。
更進(jìn)一步的,所述第二電子源能量為100keV。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明解決了現(xiàn)有裝置難以對(duì)空間綜合環(huán)境進(jìn)行模擬的問題。本發(fā)明通過參數(shù)控制與調(diào)整可實(shí)現(xiàn)對(duì)地球軌道空間、日地空間、星球表面、行星際空間等環(huán)境的等效模擬,用于開展空間環(huán)境與物質(zhì)作用機(jī)理以及空間多環(huán)境因素對(duì)物質(zhì)的協(xié)同效應(yīng)等方面的研究,可進(jìn)行航天器材料、器件、系統(tǒng)在模擬空間環(huán)境下的物質(zhì)結(jié)構(gòu)演化、損傷、可靠性評(píng)價(jià)及服役壽命預(yù)測(cè)等方面的研究工作,亦可利用空間環(huán)境因素與物質(zhì)作用效應(yīng),研究物質(zhì)的成分、結(jié)構(gòu)和相關(guān)性能,并開展材料和環(huán)境探測(cè)研究。
附圖說明
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