[發明專利]一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置

有效

• 申請號: 202110878411.0
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113636115B
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 李麗芳;吳宜勇;閆繼宏;孫承月;劉榮強;王雙雨
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B64G7/00
• 分類號: B64G7/00
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211
• 代理人: 孫續

1.一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：它包括綜合輻照艙、空間粉塵環境艙和空間污染環境艙，所述綜合輻照艙與空間粉塵環境艙和空間污染環境艙相連，所述綜合輻照艙上部與輻照源相連，所述輻照源包括3個輻照電子源、3個輻照質子源、1個輻照太陽模擬器和2個輻照紫外源，所述空間粉塵環境艙與第一電子源、第一紫外源、X射線源和粉塵加速器相連，所述空間污染環境艙與第二電子源、第二紫外源和原子氧源相連，所述綜合輻照艙、空間粉塵環境艙和空間污染環境艙均與真空泵站相連。

2.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述輻照源通過單因素實驗艙與綜合輻照艙相連。

3.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述綜合輻照艙與空間粉塵環境艙和空間污染環境艙之間均設置有樣品轉移通道。

4.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述3個輻照電子源分別為10MeV輻照電子源、1MeV輻照電子源和200KeV輻照電子源。

5.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述3個輻照質子源分別為10MeV輻照質子源、1MeV輻照質子源和200KeV輻照質子源。

6.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述2個輻照紫外源分別為VUV輻照紫外源和NUV輻照紫外源。

7.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述X射線源提供的射線能量為10～100keV，波長0.01～10nm。

8.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述第一電子源能量為30keV。

9.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述原子氧源由激光發生器與氧分子發生作用產生，能量為0.1～10eV，通量10¹⁵/(cm²·s)。

10.根據權利要求1所述的一種太陽系多因素綜合環境模擬裝置，其特征在于：所述第二電子源能量為100keV。