[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110877890.4
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113611745A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 于濤易;江紅;王哲獻
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336;H01L27/11517
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發明提供了一種半導體器件的制造方法，包括：提供襯底，襯底上依次形成有浮柵層和控制柵層；在浮柵層和控制柵層上形成暴露襯底的第一開口；在第一開口兩側分別形成第一字線結構和第二字線結構；在第一開口內形成第一光刻膠層，并延伸覆蓋所述第一字線結構和第二字線結構，以擴大第一光刻膠層的工藝窗口；以所述第一光刻膠層為掩模刻蝕所述控制柵層和所述浮柵層，使所述第一字線結構和所述第二字線結構分別形成第一柵極結構和第二柵極結構。本發明通過形成第一開口使第一光刻膠層覆蓋第一字線結構、第二字線結構和第一開口，增大第一光刻膠層的圖形面積，從而增大所述第一光刻膠層的工藝窗口，減少或避免漂膠，提高產品良率。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，尤其涉及一種半導體器件的制造方法。

背景技術

Nor閃存(Nor Flash)作為一種非易失性閃存器件，可以直接在器件內運行應用程序，具有傳輸效率高的特點。圖1為一Nor閃存的設計版圖，圖2為圖1中所述Nor閃存沿AA’方向的剖面結構示意圖。參閱圖2，所述Nor閃存的每條字線(即第一字線131和第二字線132)的兩側均有一條控制柵(所述控制柵需要經過后續刻蝕控制柵材料層120而成)，所述控制柵的兩端需要保留一定面積以連接接觸孔，同時需要將兩條控制柵隔斷，因此，需要形成如圖1所示的光刻膠層140。參閱圖1，所述光刻膠層140覆蓋的控制柵材料層120在后續的刻蝕過程中保留，以連接接觸孔，所述光刻膠層140暴露的控制柵材料層120在后續的刻蝕過程中被去除，以使兩條控制柵(圖中未示出)分隔開。

然而，隨著集成電路制造技術水平的不斷進步，Nor閃存的尺寸不斷縮小，所述光刻膠層140中單個圖形的面積也相應縮小，使得所述Nor閃存的工藝窗口不斷減小。所述光刻膠層140中單個圖案的面積過小時可能出現漂膠，并對后續工藝產生不良影響，影響Nor器件的形貌和性能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體器件的制造方法，增大了第一光刻膠層的圖形面積，從而增大了所述第一光刻膠層的工藝窗口。

為了達到上述目的，本發明提供了一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有浮柵層和控制柵層；

在所述浮柵層和所述控制柵層上形成暴露所述襯底的第一開口；

在所述第一開口的兩側分別形成第一字線結構和第二字線結構；

在所述第一開口內形成第一光刻膠層，并延伸覆蓋所述第一字線結構和第二字線結構，以擴大所述第一光刻膠層的工藝窗口；

以所述第一光刻膠層為掩模刻蝕所述控制柵層和所述浮柵層，以使所述第一字線結構和所述第二字線結構分別形成第一柵極結構和第二柵極結構。

可選的，形成所述第一開口的過程包括：

在所述控制柵層上形成圖案化的第二光刻膠層；

以所述圖案化的第二光刻膠層為掩模層刻蝕所述浮柵層和所述控制柵層，以形成所述第一開口。

可選的，形成所述第一字線結構和所述第二字線結構的過程包括：

在所述控制柵層上形成填滿所述第一開口的硬掩模層；

在所述硬掩模層上形成暴露部分所述控制柵層的第二開口和第三開口，并在所述第二開口和所述第三開口的側壁上形成第一側墻；

以所述硬掩模層和所述第一側墻為掩模刻蝕所述控制柵層，使所述第二開口和所述第三開口暴露部分所述浮柵層，并在所述第二開口和所述第三開口的側壁上形成覆蓋所述控制柵層的第二側墻；

以所述硬掩模層、所述第一側墻和所述第二側墻為掩模刻蝕所述浮柵層，使所述第二開口和所述第三開口暴露部分所述襯底，并在所述第二開口和所述第三開口的側壁及底部形成第三側墻；