[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110877890.4
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113611745A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 于濤易;江紅;王哲獻
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336;H01L27/11517
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有浮柵層和控制柵層；

在所述浮柵層和所述控制柵層上形成暴露所述襯底的第一開口；

在所述第一開口的兩側分別形成第一字線結構和第二字線結構；

在所述第一開口內形成第一光刻膠層，并延伸覆蓋所述第一字線結構和第二字線結構，以擴大所述第一光刻膠層的工藝窗口；

以所述第一光刻膠層為掩模刻蝕所述控制柵層和所述浮柵層，以使所述第一字線結構和所述第二字線結構分別形成第一柵極結構和第二柵極結構。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一開口的過程包括：

在所述控制柵層上形成圖案化的第二光刻膠層；

以所述圖案化的第二光刻膠層為掩模層刻蝕所述浮柵層和所述控制柵層，以形成所述第一開口。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一字線結構和所述第二字線結構的過程包括：

在所述控制柵層上形成填滿所述第一開口的硬掩模層；

在所述硬掩模層上形成暴露部分所述控制柵層的第二開口和第三開口，并在所述第二開口和所述第三開口的側壁上形成第一側墻；

以所述硬掩模層和所述第一側墻為掩模刻蝕所述控制柵層，使所述第二開口和所述第三開口暴露部分所述浮柵層，并在所述第二開口和所述第三開口的側壁上形成覆蓋所述控制柵層的第二側墻；

以所述硬掩模層、所述第一側墻和所述第二側墻為掩模刻蝕所述浮柵層，使所述第二開口和所述第三開口暴露部分所述襯底，并在所述第二開口和所述第三開口的側壁及底部形成第三側墻；

在所述第二開口和所述第三開口內形成字線，以形成所述第一字線結構和所述第二字線結構，所述第一字線結構包括所述第二開口內的第一側墻、第二側墻、第三側墻及字線，所述第二字線結構包括所述第三開口內的第一側墻、第二側墻、第三側墻及字線。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一字線結構和所述第二字線結構之后，形成所述第一光刻膠層之前，還包括：

去除所述硬掩模層，以暴露所述第一開口和部分所述控制柵層。

5.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一字線結構的靠近所述第一開口的側壁與所述第一開口的靠近所述第二開口的側壁之間存在一設定寬度，所述第二字線結構的靠近所述第一開口的側壁與所述第一開口的靠近所述第三開口的側壁齊平。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一光刻膠層覆蓋所述第一字線結構、所述第二字線結構、所述第一開口以及所述第一字線結構和所述第一開口之間的控制柵層。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一柵極結構和所述第二柵極結構之后，還包括：

去除所述第一光刻膠層；

在所述襯底、所述控制柵層、所述第一字線結構和所述第二字線結構的表面形成層間介質層，并在所述層間介質層內形成暴露所述控制柵層的接觸孔；

在所述接觸孔內形成電連接件；

在所述層間介質層上形成金屬層，所述電連接件連接所述金屬層和所述控制柵層。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述襯底和所述浮柵層之間還形成有第一介質層，所述浮柵層和所述控制柵層之間還形成有第二介質層。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一介質層為氧化硅層，所述第二氧化層為氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層堆疊而成的ONO疊層結構。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述半導體器件的制造方法用于制造Nor閃存。