[發明專利]檢測三維存儲器的結構缺陷的方法及三維存儲結構

有效

• 申請號: 202110877885.3
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113593627B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 王班;李文龍;李思晢;陳金星;范光龍;馬霏霏
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04;G11C29/50;H10B41/20;H10B43/20
• 代理公司: 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

1.一種檢測三維存儲器的結構缺陷的方法，其特征在于，包括：

將三維存儲結構的存儲區導電層接地，其中，所述三維存儲結構包括堆疊結構、設置在所述堆疊結構的存儲區塊上的至少一個位線觸點、以及覆蓋所述至少一個位線觸點并與每個所述位線觸點電連接的所述存儲區導電層；以及

對字線觸點進行亮度電壓對比檢測。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述堆疊結構包括間隔設置的柵極層，所述三維存儲結構包括位于所述堆疊結構的臺階區塊的字線觸點和貫穿所述堆疊結構的溝道結構，以及

其中，所述方法還包括：

響應于所述字線觸點具有暗端面，判斷所述具有暗端面的字線觸點所連接的柵極層與所述溝道結構的溝道層之間電性連接；或者

響應于所述字線觸點具有亮端面，判斷所述具有亮端面的字線觸點所連接的柵極層與所述溝道結構的溝道層之間電性斷路。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述將三維存儲結構的存儲區導電層接地的步驟之前還包括：

形成導電層，包括：

在堆疊結構的臺階區塊上形成臺階區導電層；以及

在堆疊結構的存儲區塊上形成存儲區導電層，其中，所述存儲區塊上設置有至少一個位線觸點，所述存儲區導電層覆蓋所述至少一個位線觸點并與每個所述位線觸點電連接；以及

去除所述臺階區導電層。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述方法還包括：

在所述堆疊結構上形成絕緣填充層，并形成貫穿所述絕緣填充層的至少一個所述位線觸點；以及

在所述絕緣填充層上進行所述形成導電層的步驟。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其中，形成所述導電層的步驟包括：

沉積不定形碳以形成所述導電層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，去除所述臺階區導電層的步驟包括：

在所述存儲區導電層以及所述臺階區導電層上形成氮氧化硅層；

在所述氮氧化硅層上形成光刻膠層；

在所述光刻膠層形成覆蓋所述至少一個位線觸點的圖形；

基于所述圖形刻蝕去除所述氮氧化硅層的位于所述臺階區塊的部分；以及

刻蝕去除所述臺階區導電層。

7.根據權利要求3或4所述的方法，其中，形成所述導電層的步驟包括：

沉積鎢以形成所述導電層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，去除所述臺階區導電層的步驟包括：

在所述存儲區導電層以及所述臺階區導電層上形成抗反射層；

在所述抗反射層上形成光刻膠層；

在所述光刻膠層形成覆蓋所述至少一個位線觸點的圖形；

基于所述圖形刻蝕去除所述抗反射層的位于所述臺階區塊的部分；以及

利用干法刻蝕去除所述臺階區導電層。

9.根據權利要求4所述的方法，其中，還包括：

利用化學機械研磨工藝平整化所述絕緣填充層、所述字線觸點和所述位線觸點。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：

在完成所述檢測后去除所述存儲區導電層。

11.一種三維存儲結構，其特征在于，包括：

襯底；

堆疊結構，設置于所述襯底并包括交替堆疊的絕緣層和柵極層，其中，所述堆疊結構在垂直于堆疊方向的平面內劃分為臺階區塊和存儲區塊；

至少一個溝道結構，貫穿所述存儲區塊；

字線觸點，與所述臺階區塊的柵極層電連接；

至少一個位線觸點，所述位線觸點與所述溝道結構電連接；以及

存儲區導電層，覆蓋所述至少一個位線觸點并與每個所述位線觸點電連接。