[發明專利]三氯氫硅除碳反應-選擇性吸附耦合裝置及方法

有效

• 申請號: 202110876164.0
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113479892B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 黃國強;黃琪琪;王乃治;劉建華;耿強
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 王麗

1.一種三氯氫硅除碳反應-選擇性吸附耦合方法，其特征是，三氯氫硅、甲基二氯硅烷和氯源由三氯氫硅-甲基二氯硅烷-氯源原料罐通過進料泵，經三氯氫硅-甲基二氯硅烷-氯源預熱器后于底部進入甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔，甲基二氯硅烷和氯源在甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔內發生反應，轉化為甲基三氯硅烷高沸點的物質，甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔內的吸附劑選擇性不吸附甲基三氯硅烷，吸附塔內催化反應和選擇性吸附同時進行；甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔頂部出料部分作為甲基三氯硅烷產品，進入甲基三氯硅烷產品罐，再由甲基三氯硅烷產品泵采出；甲基三氯硅烷不斷采出使得甲基二氯硅烷不斷反應，最終達到除碳的目的；氯源經氯源進料泵于頂部進入甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔，進行解吸過程；甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔塔底排除解吸液。

2.如權利要求1所述的方法，其特征是，甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔內填充的具有催化作用的吸附劑采用樹脂、硅鋁凝膠或改性活性炭。

3.如權利要求1所述的方法，其特征是，氯源采用四氯化硅、氯化氫、四氯化碳，或上述物質的混合物。

4.如權利要求1所述的方法，其特征是，甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔塔壓范圍為0.1～1.5MPa(G)，反應吸附塔控制溫度范圍為60～160℃。

5.如權利要求3所述的方法，其特征是，甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、三氯氫硅和氯源的吸附過程采用氣相或液相。

6.如權利要求1所述的方法，其特征是，甲基二氯硅烷-氯源反應吸附塔雙塔并聯使用，具有集成吸附劑、催化劑在一起的功能。