[發明專利]感光模組及其制備方法、指紋識別模塊和X射線探測器

在審

• 申請號: 202110875996.0
• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113611719A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 任慶榮;邢汝博;李俊峰;王剛;崔霜;張豪峰;郭瑞;胡世文
• 申請（專利權）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/105;G06K9/00;G01N23/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉丹;黃健

本申請提供一種感光模組及其制備方法、指紋識別模塊和X射線探測器，該感光模組包括：襯底；器件層，設置于襯底上，器件層包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括源極和漏極；光電二極管，位于器件層背離襯底的一側，光電二極管包括沿遠離襯底的方向依次設置的導電層、P型半導體層、本征半導體層和N型半導體層；電極層，位于光電二極管背離襯底的一側，電極層包括間隔分布的正電極和負電極；其中，N型半導體層為透明層，N型半導體層通過正電極與漏極或者源極電連接，P型半導體層通過導電層與負電極電連接。該感光模組可以提高光電二極管的光電轉換效率，提高產品的信噪比。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種感光模組及其制備方法、指紋識別模塊和X射線探測器。

背景技術

光電二極管是是指紋識別模塊或者X射線探測器中較為關鍵的器件之一，增加該光電二極管的光電轉換效率能夠有效提高產品的外量子效率(External QuantumEfficiency，簡稱EQE)，提升產品的信噪比。然而相關技術中光電二極管吸收的可見光損耗較大，減少了光致電子空穴對的數量，影響光電二極管的光電轉換效率，導致指紋識別的準確率較低或者X射線圖像的成像效果較差。

發明內容

鑒于上述問題，本申請實施例提供一種感光模組及其制備方法、指紋識別模塊和X射線探測器，該感光模組可以提高光電二極管的光電轉換效率，提升信噪比。

為了實現上述目的，本申請實施例提供如下技術方案：

本申請實施例的第一方面提供一種感光模組，包括：襯底；器件層，設置于襯底上，器件層包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括源極和漏極；光電二極管，位于器件層背離襯底的一側，光電二極管包括沿遠離襯底的方向依次層疊設置的導電層、P型半導體層、本征半導體層和N型半導體層；電極層，位于光電二極管背離襯底的一側，電極層包括間隔分布的正電極和負電極；其中，N型半導體層為透明層，N型半導體層通過正電極與漏極或者源極電連接，P型半導體層通過導電層與負電極電連接。

在一種可能的實現方式中，感光模組還包括位于器件層與電極層之間的平坦化層，平坦化層覆蓋源極、漏極和光電二極管，N型半導體層暴露在平坦化層外，并與正電極電連接；平坦化層設置有間隔分布的第一過孔和第二過孔，正電極通過第一過孔與漏極或者源極電連接，導電層通過第二過孔與負電極電連接。

在一種可能的實現方式中，源極或者漏極與導電層同層設置。

在一種可能的實現方式中，N型半導體層的材質包括IGZO或者ITZO。

在一種可能的實現方式中，平坦化層和/或電極層的負電極為透明層。

本申請實施例的第二方面提供一種感光模組的制備方法，包括：在襯底上形成器件層，器件層包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括源極和漏極；在器件層背離襯底的一側形成光電二極管，光電二極管包括沿遠離襯底的方向依次設置的導電層、P型半導體層、本征半導體層和N型半導體層，其中，N型半導體層為透明層；在器件層背離襯底的一側形成平坦化層，平坦化層覆蓋源極、漏極和光電二極管，N型半導體層暴露在平坦化層外，平坦化層設置有間隔分布的第一過孔和第二過孔；在平坦化層上形成電極層，電極層包括間隔分布的正電極和負電極，正電極與N型半導體層接觸，且正電極通過第一過孔與漏極或者源極電連接，負電極通過第二過孔與導電層電連接。

在一種可能的實現方式中，在器件層背離襯底的一側形成光電二極管的步驟包括：在器件層背離襯底的一側形成導電層；在導電層上沉積形成P型半導體層；在P型半導體層上沉積形成本征半導體層；在本征半導體層上濺射IGZO或者ITZO，以形成N型半導體層；圖案化N型半導體層、本征半導體層、P型半導體層和導電層，形成光電二極管。

本申請實施例的第三方面提供一種指紋識別模塊，包括如前所述的感光模組。