[發(fā)明專利]感光模組及其制備方法、指紋識別模塊和X射線探測器

在審

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• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113611719A
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任慶榮;邢汝博;李俊峰;王剛;崔霜;張豪峰;郭瑞;胡世文
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/105;G06K9/00;G01N23/04
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉丹;黃健

1.一種感光模組，其特征在于，包括：

襯底；

器件層，設(shè)置于所述襯底上，所述器件層包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極和漏極；

光電二極管，位于所述器件層背離所述襯底的一側(cè)，所述光電二極管包括沿遠離所述襯底的方向依次設(shè)置的導(dǎo)電層、P型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；

電極層，位于所述光電二極管背離所述襯底的一側(cè)，所述電極層包括間隔分布的正電極和負電極；

其中，所述N型半導(dǎo)體層為透明層，所述N型半導(dǎo)體層通過所述正電極與所述漏極或者所述源極電連接，所述P型半導(dǎo)體層通過所述導(dǎo)電層與所述負電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光模組，其特征在于，還包括位于所述器件層與所述電極層之間的平坦化層，所述平坦化層覆蓋所述源極、漏極和所述光電二極管，所述N型半導(dǎo)體層暴露在所述平坦化層外，并與所述正電極電連接；

所述平坦化層設(shè)置有間隔分布的第一過孔和第二過孔，所述正電極通過所述第一過孔與所述漏極或者所述源極電連接，所述導(dǎo)電層通過所述第二過孔與所述負電極電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光模組，其特征在于，所述源極或者所述漏極與所述導(dǎo)電層同層設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光模組，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括IGZO或者ITZO。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感光模組，其特征在于，所述平坦化層和/或所述電極層的所述負電極為透明層。

6.一種感光模組的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成器件層，所述器件層包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極和漏極；

在所述器件層背離所述襯底的一側(cè)形成光電二極管，所述光電二極管包括沿遠離所述襯底的方向依次設(shè)置的導(dǎo)電層、P型半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層，其中所述N型半導(dǎo)體層為透明層；

在所述器件層背離所述襯底的一側(cè)形成平坦化層，所述平坦化層覆蓋所述源極、所述漏極和所述光電二極管，所述N型半導(dǎo)體層暴露在所述平坦化層外，所述平坦化層設(shè)置有間隔分布的第一過孔和第二過孔；

在所述平坦化層上形成電極層，所述電極層包括間隔分布的正電極和負電極，所述正電極與所述N型半導(dǎo)體層接觸，且所述正電極通過所述第一過孔與所述漏極或者所述源極電連接，所述負電極通過所述第二過孔與所述導(dǎo)電層電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，在所述器件層背離所述襯底的一側(cè)形成光電二極管的步驟包括：

在所述器件層背離所述襯底的一側(cè)形成導(dǎo)電層；

在所述導(dǎo)電層上沉積形成P型半導(dǎo)體層；

在所述P型半導(dǎo)體層上沉積形成本征半導(dǎo)體層；

在所述本征半導(dǎo)體層上濺射IGZO或者ITZO，以形成N型半導(dǎo)體層；

圖案化所述N型半導(dǎo)體層、所述本征半導(dǎo)體層、所述P型半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層，形成所述光電二極管。

8.一種指紋識別模塊，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至5任一項所述的感光模組。

9.一種X射線探測器，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1至5任一項所述的感光模組；

絕緣層，位于所述感光模組的電極層背離襯底的一側(cè)；

轉(zhuǎn)換層，位于所述絕緣層背離所述襯底的一側(cè)，用于將入射的X射線轉(zhuǎn)換為可見光。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的X射線探測器，其特征在于，所述轉(zhuǎn)換層包括閃爍體或者熒光體。