[發(fā)明專利]導(dǎo)電密封組件和包含其的電鍍夾具在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110873881.8 | 申請日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN113564676A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 史蒂文·賀·汪 | 申請(專利權(quán))人: | 新陽硅密(上海)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C25D17/06 | 分類號: | C25D17/06;C25D7/12 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人: | 楊東明;蔡燁平 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電 密封 組件 包含 電鍍 夾具 | ||
本發(fā)明公開了一種導(dǎo)電密封組件和包含其的電鍍夾具,其用于電鍍夾具,所述導(dǎo)電密封組件包括:導(dǎo)電環(huán),所述導(dǎo)電環(huán)具有導(dǎo)電端,所述導(dǎo)電端用于與晶圓的邊緣電接觸;密封部,所述密封部至少設(shè)置于所述導(dǎo)電端的內(nèi)側(cè),所述密封部具有密封端,所述密封端沿著不垂直于晶圓表面的方向朝所述晶圓延伸,且所述密封端的尺寸厚度沿靠近所述晶圓的方向逐漸變窄,所述密封端朝向所述晶圓的一側(cè)凸出于所述導(dǎo)電端。該導(dǎo)電密封組件確保與晶圓電接觸的均勻性和可靠性,能夠同時完成密封和導(dǎo)電的雙狀態(tài),解決了導(dǎo)電均勻性和密封性對于電鍍均勻性的影響,增大了晶圓的利益。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶圓電鍍領(lǐng)域,尤其涉及一種導(dǎo)電密封組件和包含其的電鍍夾具。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體電鍍機(jī)是在芯片制造過程中使用的一種設(shè)備,用于將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面。電鍍機(jī)包含框架、電鍍槽、循環(huán)系統(tǒng)、清洗槽、電鍍掛具等部分。其中電鍍掛具中的電鍍夾具是電鍍加工最重要的輔助工具,它對電鍍鍍層的分布和工作效率有著直接影響。在單面電鍍中,電鍍掛具的密封性和導(dǎo)電均勻性是單面電鍍的關(guān)鍵,同時也是密封壓邊的關(guān)鍵,在晶圓電鍍中,密封和導(dǎo)電壓邊越小,使成本越低,較大滿足晶圓的最大利用率。一旦晶圓和密封件的同心度不足,或者角度發(fā)生變化,密封性將會大大降低,得到的電鍍層不均勻,無法獲得較好的導(dǎo)電均勻性,就會影響晶圓的性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中得到的電鍍層不均勻,無法獲得較好的導(dǎo)電均勻性和密封性能弱的缺陷,提供一種導(dǎo)電密封組件和包含其的電鍍夾具。
本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題:
一種導(dǎo)電密封組件,其用于電鍍夾具,所述導(dǎo)電密封組件包括:
導(dǎo)電環(huán),所述導(dǎo)電環(huán)具有導(dǎo)電端,所述導(dǎo)電端用于與晶圓的邊緣電接觸;
密封部,所述密封部至少設(shè)置于所述導(dǎo)電端的內(nèi)側(cè),所述密封部具有密封端,所述密封端沿著不垂直于晶圓表面的方向朝所述晶圓延伸,且所述密封端的尺寸厚度沿靠近所述晶圓的方向逐漸變窄,所述密封端朝向所述晶圓的一側(cè)凸出于所述導(dǎo)電端。
該導(dǎo)電密封組件在與晶圓接觸時,先接觸晶圓表面的密封部的密封端由于相對晶圓表面傾斜,且其尺寸厚度沿靠近晶圓的方向逐漸變窄,便于密封端在受力情況下壓縮變形,使得導(dǎo)電環(huán)能夠可靠的與晶圓表面接觸,從而在保證密封效果的同時,確保與晶圓電接觸的均勻性和可靠性,完成密封和導(dǎo)電的雙狀態(tài),解決了導(dǎo)電均勻性和密封性對于電鍍均勻性的影響,增大了晶圓的利益。
較佳地,所述密封部沿晶圓的半徑方向分布有至少兩個所述密封端,分布在大直徑處的所述密封端朝晶圓外側(cè)方向傾斜延伸。
本技術(shù)方案中,通過設(shè)置兩個密封端與晶圓接觸和壓縮,提高密封部的密封可靠性。其中,分布在大直徑處的密封端朝著晶圓外側(cè)方向傾斜延伸,便于該密封端在受力之后朝著大直徑方向變形,降低使該密封端受壓變形的難度。
較佳地,分布在小直徑處的所述密封端朝晶圓內(nèi)側(cè)方向傾斜延伸。
本技術(shù)方案中,分布在小直徑處的密封端朝著晶圓內(nèi)側(cè)方向傾斜延伸,便于該密封端在受力之后朝著小直徑方向變形,降低使該密封端受壓變形的難度。同時,位于大直徑處的密封端和小直徑處的密封端朝不同方向受壓變形,兩者之間不會相互干擾。
較佳地,分布在大直徑處的所述密封端朝向所述晶圓的一側(cè)凸出于分布在小直徑處的所述密封端。
本技術(shù)方案中,使兩個密封端之間存在高度落差,具體為使內(nèi)側(cè)的密封端低于外側(cè)的密封端,使得位于外側(cè)的密封端能夠先與晶圓表面接觸并受壓變形,使得位于兩個密封端之間的空氣從內(nèi)側(cè)的密封端與晶圓表面的間隙處被排出,從而降低受壓密封的難度,提高密封可靠性。
較佳地,分布在大直徑處的所述密封端的尺寸厚度大于分布在小直徑處的所述密封端的尺寸厚度。
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