[發(fā)明專利]電路板水平沉銅去膠工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110873839.6
• 申請(qǐng)日: 2021-07-30
• 公開（公告）號(hào): CN113652677A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳年升;賴俊崇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江門市浩遠(yuǎn)電子科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C18/40
• 分類號(hào): C23C18/40;C23C18/20;H05K3/42
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 廖華均

本發(fā)明公開了一種電路板水平沉銅去膠工藝，電路板基材沿輸送帶水平輸送，依次經(jīng)過以下處理步驟：膨松、除膠、預(yù)中和、中和、清潔、微蝕、活化、還原、沉銅，最后經(jīng)過風(fēng)干后出板，得到電路板。本實(shí)施例的電路板水平沉銅去膠工藝所得鍍層具有絕佳的鍍層覆蓋能力，采用本發(fā)明的水平沉銅去膠可以使內(nèi)層銅與孔銅具有較佳的結(jié)合力，獲得優(yōu)良可靠的化學(xué)銅沉積層，對(duì)于盲孔、通孔均能沉積良好的化學(xué)銅層。此外，本實(shí)施例的電路板水平沉銅去膠工藝，電路板基材沿輸送帶水平輸送進(jìn)行各個(gè)加工步驟，自動(dòng)化程度高，工人工作強(qiáng)度低，水平輸送也便于對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行密封，減少對(duì)周邊環(huán)境的影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路板加工領(lǐng)域，特別涉及一種電路板水平沉銅去膠工藝。

背景技術(shù)

在電路板制造技術(shù)中，其中一個(gè)關(guān)鍵步驟是沉銅工序。它主要的作用就是使雙面和多層印制電路板的非金屬孔，通過氧化還原反應(yīng)在孔壁上沉積一層均勻的導(dǎo)電層，再經(jīng)過電鍍加厚鍍銅，達(dá)到回路的目的。要達(dá)到此目的就必須選擇性能穩(wěn)定、可靠的沉銅液和制定正確、可行的以及有效的沉銅工藝。

傳統(tǒng)的沉銅工序是采用垂直龍門沉銅方式，用掛籃盛裝電路板，由操作員控制，在膨松池、中和池、微蝕池、活化池、還原池和沉銅池里依次浸泡，完成沉銅工序。傳統(tǒng)的這種加工方式對(duì)周圍環(huán)境的影響大，而且自動(dòng)化程度低，工作強(qiáng)度高，而且對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì)難以控制，引發(fā)許多詬病之處，急待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提出一種電路板水平沉銅去膠工藝，自動(dòng)化程度高，工作強(qiáng)度低，能獲得高品質(zhì)的產(chǎn)品。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面實(shí)施例的電路板水平沉銅去膠工藝，所述電路板基材沿輸送帶水平輸送，依次經(jīng)過以下處理步驟：

膨松，在超聲條件下，使用膨松液對(duì)基材進(jìn)行膨松處理，超聲功率為80-100W，膨松溫度為75-85℃，膨松時(shí)間為50-80S，水洗，得膨松處理后基材；

除膠，在超聲條件下，使用除膠液對(duì)膨松處理后基材進(jìn)行除膠處理，超聲功率為80-100W，除膠溫度為80-90℃，除膠電流為800-1500A，除膠時(shí)間為120-160S，水洗，得除膠處理后基材；

預(yù)中和，使用中和液對(duì)除膠處理后基材進(jìn)行預(yù)中和處理，預(yù)中和溫度為室溫，預(yù)中和時(shí)間為5-10S，水洗，得預(yù)中和處理后基材；

中和，在超聲條件下，使用中和液對(duì)預(yù)中和處理后基材進(jìn)行中和處理，超聲功率為80-100W，中和溫度為45-51℃，中和時(shí)間為30-40S，水洗，得中和處理后基材；

清潔，在超聲條件下，使用調(diào)整液對(duì)中和處理后基材進(jìn)行第一次清潔處理，超聲功率為80-100W，清潔溫度為45-55℃，第一次清潔時(shí)間為30-40S，水洗；在超聲條件下，使用中和液對(duì)第一次清潔后的基材進(jìn)行第二次清潔處理，超聲功率為80-100W，清潔溫度為46-51℃，第一次清潔時(shí)間為20-30S，水洗，得清潔處理后基材；

微蝕，使用微蝕液對(duì)清潔處理后基材進(jìn)行微蝕處理，微蝕溫度為28-32℃，微蝕時(shí)間為50-60S，水洗，得微蝕處理后基材；

活化，使用活化液對(duì)微蝕處理后基材進(jìn)行活化處理，活化溫度為47-53℃，活化時(shí)間為40-50S，水洗，得活化處理后基材；

還原，使用還原液對(duì)活化處理后基材進(jìn)行還原處理，還原溫度為33-37℃，還原時(shí)間為35-45S，水洗，得還原處理后基材；

沉銅，將還原處理后基材浸入水平沉銅液中進(jìn)行沉銅，沉銅溫度為30-36℃，預(yù)接觸電壓為2.5V，沉銅時(shí)間為180-300S，水洗，風(fēng)干，出板，得到電路板。