[發(fā)明專利]電路板水平沉銅去膠工藝

在審

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• 申請日: 2021-07-30
• 公開（公告）號: CN113652677A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設計）人: 吳年升;賴俊崇
• 申請（專利權）人: 江門市浩遠電子科技有限公司
• 主分類號: C23C18/40
• 分類號: C23C18/40;C23C18/20;H05K3/42
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 廖華均

1.一種電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，所述電路板基材沿輸送帶水平輸送，依次經(jīng)過以下處理步驟：

膨松，在超聲條件下，使用膨松液對基材進行膨松處理，超聲功率為80-100W，膨松溫度為75-85℃，膨松時間為50-80S，水洗，得膨松處理后基材；

除膠，在超聲條件下，使用除膠液對膨松處理后基材進行除膠處理，超聲功率為80-100W，除膠溫度為80-90℃，除膠電流為800-1500A，除膠時間為120-160S，水洗，得除膠處理后基材；

預中和，使用中和液對除膠處理后基材進行預中和處理，預中和溫度為室溫，預中和時間為5-10S，水洗，得預中和處理后基材；

中和，在超聲條件下，使用中和液對預中和處理后基材進行中和處理，超聲功率為80-100W，中和溫度為45-51℃，中和時間為30-40S，水洗，得中和處理后基材；

清潔，在超聲條件下，使用調整液對中和處理后基材進行第一次清潔處理，超聲功率為80-100W，清潔溫度為45-55℃，第一次清潔時間為30-40S，水洗；在超聲條件下，使用中和液對第一次清潔后的基材進行第二次清潔處理，超聲功率為80-100W，清潔溫度為46-51℃，第一次清潔時間為20-30S，水洗，得清潔處理后基材；

微蝕，使用微蝕液對清潔處理后基材進行微蝕處理，微蝕溫度為28-32℃，微蝕時間為50-60S，水洗，得微蝕處理后基材；

活化，使用活化液對微蝕處理后基材進行活化處理，活化溫度為47-53℃，活化時間為40-50S，水洗，得活化處理后基材；

還原，使用還原液對活化處理后基材進行還原處理，還原溫度為33-37℃，還原時間為35-45S，水洗，得還原處理后基材；

沉銅，將還原處理后基材浸入水平沉銅液中進行沉銅，沉銅溫度為30-36℃，預接觸電壓為2.5V，沉銅時間為180-300S，水洗，風干，出板，得到電路板。

2.根據(jù)權利要求1所述的電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，所述基材在活化步驟前先進行預浸，使用活化液對微蝕處理后基材進行預浸處理，預浸溫度為室溫，預浸時間為10-20S，預浸處理后的基材進入活化步驟。

3.根據(jù)權利要求1所述的電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，所述水平沉銅液包括有：

85-115份的化銅基本劑，7-11份的化銅穩(wěn)定劑，45-55份的化銅添加劑，13-21份的化銅還原劑。

4.根據(jù)權利要求3所述的電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，所述水平沉銅液包括有100份的化銅基本劑，9份的化銅穩(wěn)定劑，50份的化銅添加劑，17份的化銅還原劑。

5.根據(jù)權利要求3或4所述的電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，往純水中按份量依次添加所述化銅基本劑、所述化銅穩(wěn)定劑、所述化銅添加劑和所述化銅還原劑，加熱到30-36℃，得到水平沉銅液。

6.根據(jù)權利要求3或4所述的電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，所述水平沉銅液中包括有氫氧化鈉溶液。

7.根據(jù)權利要求1所述的電路板水平沉銅去膠工藝，其特征在于，所述微蝕液包括80-120份的過硫酸鈉，以及15-40份的硫酸。