[發明專利]芯片封端定位裝置及定位方法在審
| 申請號: | 202110872978.7 | 申請日: | 2021-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN113539921A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 楊顯文;敬文平;楊俊;韓瑋;鄧國平;唐迎春;高美玉 | 申請(專利權)人: | 深圳市宇陽科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/683;H01L23/544 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;陳進芳 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區西麗街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 定位 裝置 方法 | ||
本發明公開一種芯片封端定位裝置,包括植入板及輸送板,其植入板通過相垂直設置的第一橫梁、第一豎梁分隔出多個植入單元,每一植入單元均具有多個間隔設置的植入區,每一植入區均貫穿地開設有多個植入孔,其輸送板通過相垂直設置的第二橫梁、第二豎梁分隔出多個輸送單元,每一輸送單元上與植入區一一對應的輸送區,輸送區,且每一輸送區上貫穿地開設有一個輸送孔。本發明通過各個植入區之間、各個輸送區之間的避空設計,增強了每個植入單元及每個輸送單元的強度,從而提高植入板、輸送板的整體強度,增加兩者的使用壽命,降低兩者的加工精度以及加工成本。本發明還公開一種芯片封端定位方法。
技術領域
本發明涉及積層陶瓷電容器技術領域,尤其涉及一種用于積層陶瓷電容器的芯片封端定位裝置及定位方法。
背景技術
積層陶瓷電容器(Multi-layer Ceramic Capacitors,MLCC)的銅電極封端生產即是對燒結倒角后的MLCC芯片兩端進行沾銅,使電容器兩端形成端電極,以便將電容器焊接在基板上。由于MLCC的端電極的銅厚及銅端寬度都有一定技術要求,所以為了使封端時沾銅的厚度和寬度可控,對于不同尺寸的MLCC的封端生產會有不同的封端工裝,國內現有封端技術可以對應01005及以上尺寸的MLCC的封端加工。
對于01005/0201尺寸的MLCC,目前采用的封端技術是植入板100`與輸送板200`的孔對孔技術,其中,植入板100`上均布細小的植入孔110`,輸送板200`上局部細小的輸送孔210`。具體參看圖1a-1c所示,植入前,將植入板100`疊置于輸送板200`上,植入板100`上的植入孔110`與輸送板200`上的輸送孔210`一一對應,然后將芯片2`由植入板100`的植入孔110`植入輸送孔210`內,一個輸送孔210`內對應植入一個芯片2`,如圖1a所示;然后移走植入板100`,并通過整平滾輪300`來回滾過芯片2`而使芯片2`豎直立起并貼緊膠帶400`,如圖1b所示,以保證后續沾銅時銅厚及寬度可控;接著將被膠帶400`貼緊的芯片2`以及輸送板200`整體翻轉180°,使芯片2`的端部粘上銅漿,如圖1c所示。但是現有的這種封端方式存在以下問題:
一、植入孔110`與輸送孔210`的孔徑小、密度大,因此兩者的對位精度要求高;并且輸送孔210`的內壁加工精度要求高,不能有臺階毛刺等異常,否則芯片2`在進入輸送孔210`時容易被卡住,導致芯片2`斜插入輸送孔210`內,如圖2a所示,整平時芯片2`受滾輪300`的壓力會導致芯片2`破損,沾銅時會有斜沾現象;
二、卸料時輸送板200`的輸送孔210`容易刮傷芯片2`沾銅后形成的銅層,影響電容器的質量;
三、輸送板200`容易產生局部變形,如圖2b所示,局部變形的位置會導致芯片2`出現斜沾現象,并且使輸送板200`的壽命低下;
四、對于008004等超小尺寸的MLCC,要求輸送孔210`的孔徑更小,并且輸送板200`更薄,因此在極其薄的輸送板200`上密集開設輸送孔210`會導致輸送板200`的強度不足,輸送板200`的壽命低下。
因此,有必要提供一種能夠提高輸送板的使用壽命,降低輸送板加工精度的芯片封端定位裝置及定位方法,以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠提高輸送板使用壽命,降低輸送板加工精度的芯片封端定位裝置。
本發明的另一目的在于提供一種能夠提高輸送板使用壽命,降低輸送板加工精度的芯片定位方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





