[發明專利]一種應用于異質結的ITO靶材及其制備方法在審
| 申請號: | 202110864783.8 | 申請日: | 2021-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN113666736A | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 雷雨;周志宏;肖世洪;劉芳 | 申請(專利權)人: | 廣州市尤特新材料有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/457 | 分類號: | C04B35/457;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/634;C04B35/632;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司: | 廣州一銳專利代理有限公司 44369 | 代理人: | 朱蓉艷 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 異質結 ito 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種應用于異質結的ITO靶材及其制備方法,包括以下步驟:S1、將氧化銦粉體、氧化錫粉體球磨混合均勻,得到ITO粉體;S2、將ITO粉體、分散劑、燒結助劑、去離子水混合均勻,得到漿料;S3、將所述漿料經過噴霧造粒,得到粉體;S4、將所述粉體置于模具中進行壓制成型,得到素坯;S5、將素坯在氧氣氛圍下燒結,得到應用于異質結的ITO靶材。本發明所述的應用于異質結的ITO靶材具有良好的致密度、抗折強度以及低電阻率,通過使用所述的三元燒結助劑能夠有效的提高靶材的均勻性,提高靶材的致密度、抗折強度,降低電阻率。
技術領域
本發明涉及靶材技術領域,具體涉及一種應用于異質結的ITO靶材及其制備方法。
背景技術
氧化銦錫(簡稱ITO)靶材是一種在氧化銦中參雜氧化錫的金屬氧化物復合材料,用它制備的ITO薄膜有電阻率低、可見光透過率高、紫外線吸收率大、耐磨耐蝕性能好等優點,被廣泛應用于光電學領域。
近年來硅基異質結太陽能電池因具有結構對稱、低溫工藝、高開路電壓、高轉換效率和低溫度系數等優勢,引起廣泛關注和研究。制備性能優異的ITO薄膜是獲得高效異質結太陽能電池的關鍵技術之一,濺射鍍膜使用靶材的性能好壞對鍍膜的品質有很大影響, 如何制得高性能的ITO靶材成為了研究的重點。
CN104909723A公開了一種高密度ITO靶材的制備方法,并具體公開了以化學共沉淀法制備的銦錫氧化物粉體為原料,添加由金屬氧化物、磷酸化合物或磷氧化物和納米SiO2組成的燒結劑,采用壓濾成型的方法制備坯體,在氧氣氛下于1450~1550℃燒結,保溫時間為3~10小時,獲得相對密度為98.6~99.6%,抗彎強度為112~158MPa的ITO靶材。其采用以金屬氧化物、磷酸化合物或磷氧化物和納米SiO2組成的燒結劑,從而提高靶材的致密度和抗彎強度,其在制備過程中仍然需要使用到粘結劑,且其抗彎強度僅為112~158MPa,仍需增強。
發明內容
本發明提供一種應用于異質結的ITO靶材及其制備方法,所述的ITO靶材具有良好的致密度、電阻率以及抗折強度,能夠很好的應用于異質結。
本發明解決其技術問題采用以下技術方案:
一種應用于異質結的ITO靶材的制備方法,包括以下步驟:
S1、將氧化銦粉體、氧化錫粉體球磨混合均勻,得到ITO粉體;
S2、將ITO粉體、分散劑、燒結助劑、去離子水混合均勻,得到漿料;
S3、將所述漿料經過噴霧造粒,得到粉體;
S4、將所述粉體置于模具中進行壓制成型,得到素坯;
S5、將素坯在氧氣氛圍下燒結,得到應用于異質結的ITO靶材。
作為一種優選方案,所述S1中氧化銦粉體、氧化錫粉體的質量比為88~92:8~12。
作為一種優選方案,所述ITO粉體、分散劑、燒結助劑、去離子水質量比為100:0.5~2:0.4~1.2:10~25。
作為一種優選方案,所述ITO粉體、分散劑、燒結助劑、去離子水質量比為100:1:0.8:24。
作為一種優選方案,所述分散劑按質量份百分比計,包括:45~60%聚乙二醇4000、30~40%β-丙氨酸、10~20%檸檬酸三銨。
作為一種優選方案,所述燒結助劑按質量份百分比計,包括:50~70%硅酸鎂、25~40%氧化硼、2~6%七氧化二錸。
本發明的發明人在大量研究中發現,通過采取上述所述的分散劑和燒結助劑,能夠有效的提高ITO靶材的致密度、抗折強度,降低電阻率。
使用上述的分散劑能夠有效的控制ITO粉體的團聚現象,增加ITO粉體的空間位阻作用,提高ITO粉體的穩定性,從而提高靶材的整體性能。
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