[發(fā)明專利]一種雙重曝光的對(duì)位方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110863323.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113448181A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王緒勝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 唐靜芳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙重 曝光 對(duì)位 方法 | ||
1.一種雙重曝光的對(duì)位方法,其特征在于,所述方法包括:
對(duì)目標(biāo)物進(jìn)行一次曝光,以在所述目標(biāo)物上形成第一曝光圖形,所述第一曝光圖形具有第一對(duì)位點(diǎn);
對(duì)所述目標(biāo)物進(jìn)行二次曝光,所述二次曝光基于所述第一對(duì)位點(diǎn),以在所述目標(biāo)物上形成第二曝光圖形,所述第二曝光圖形與所述第一曝光圖形重合。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述“所述二次曝光基于所述第一對(duì)位點(diǎn),以在所述目標(biāo)物上形成第二曝光圖形”具體為:
在所述二次曝光中,曝光機(jī)的透鏡上具有第二對(duì)位點(diǎn),曝光機(jī)的光源通過所述第二對(duì)位點(diǎn)形成的投影與所述第一對(duì)位點(diǎn)重合;
在所述目標(biāo)物上形成所述第二曝光圖形。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述一次曝光中,所述曝光機(jī)的透鏡與所述目標(biāo)物之間具有制圖格網(wǎng),所述曝光機(jī)的光源通過所述透鏡和所述制圖格網(wǎng),在所述目標(biāo)物上形成格網(wǎng),所述第一曝光圖形基于所述格網(wǎng)排序。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述“所述二次曝光基于所述第一對(duì)位點(diǎn),以在所述目標(biāo)物上形成第二曝光圖形”具體為:
在所述二次曝光中,曝光機(jī)識(shí)別所述第一對(duì)位點(diǎn),以使得所述曝光機(jī)的光源通過所述透鏡形成的第二曝光圖形與所述第一曝光圖形重合。
5.如權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述一次曝光中,所述透鏡上設(shè)置有形成所述第一對(duì)位點(diǎn)的標(biāo)記點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
所述第一對(duì)位點(diǎn)形成在所述第一曝光圖形的邊側(cè)。
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