[發明專利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 202110861384.6 | 申請日: | 2021-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN113629085B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 羅傳寶 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
像素單元;
基板;
感光單元,所述感光單元用于接收顯示面板外部的激光筆發出的光信號,所述感光單元包括感光薄膜晶體管和開關薄膜晶體管,所述感光薄膜晶體管的柵極和所述開關薄膜晶體管的柵極同層設置;所述感光薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極,所述第一柵極連接柵極線以接收柵極信號,所述第一源極連接電源;所述開關薄膜晶體管包括第三柵極、第三源極和第三漏極,所述第三柵極連接所述第一漏極,所述第三源極連接所述電源,所述第三漏極連接信號讀取端;以及
驅動單元,所述驅動單元與所述像素單元電連接以驅動所述像素單元,所述驅動單元包括驅動薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管、所述感光薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管并列設置于所述基板上。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述感光薄膜晶體管包括第一有源部,所述驅動薄膜晶體管包括第二有源部,所述第二有源部的材料與所述第一有源部的材料不同。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一有源部的材料為非晶硅;和/或
所述第二有源部的材料為氧化物半導體。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一有源部和所述第二有源部同層設置。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述感光薄膜晶體管還包括第一絕緣部和第二絕緣部,所述第一柵極設置于所述基板;所述第一絕緣部設置于所述第一柵極并覆蓋住所述第一柵極;所述第一有源部設置于所述第一絕緣部;所述第一源極和所述第一漏極間隔設置于所述第一有源部;所述第二絕緣部設置于所述第一絕緣部并覆蓋住所述第一源極、所述第一漏極以及所述第一有源部;
所述驅動薄膜晶體管還包括第二柵極、第三絕緣部、第二源極、第二漏極以及第四絕緣部,所述第二柵極設置于所述基板;所述第三絕緣部設置于所述第二柵極并覆蓋住所述第二柵極;所述第二有源部設置于所述第三絕緣部;所述第二源極和所述第二漏極間隔設置于所述第二有源部;所述第四絕緣部設置于所述第三絕緣部并覆蓋住所述第二源極和第二漏極以及所述第二有源部;
所述開關薄膜晶體管還包括第五絕緣部、第三有源部和第六絕緣部,所述第三柵極設置于所述基板;所述第五絕緣部設置于所述第三柵極并覆蓋住所述第三柵極;所述第三有源部設置于所述第五絕緣部;所述第三源極和所述第三漏極間隔設置于所述第三有源部;所述第六絕緣部設置于所述第五絕緣部并覆蓋住所述第三源極、所述第三漏極以及所述第三有源部。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括:
第一遮光部,所述第一遮光部設置于所述第二有源部背離所述基板的一側;和/或
第二遮光部,所述第二遮光部設置于所述第三有源部背離所述基板的一側。
7.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上并列形成感光薄膜晶體管、開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管,所述感光薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管形成感光單元,所述感光單元用于接收顯示面板外部的激光筆發出的光信號,所述驅動薄膜晶體管形成驅動單元;所述感光薄膜晶體管的柵極和所述開關薄膜晶體管的柵極同層設置;所述感光薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極,所述第一柵極連接柵極線以接收柵極信號,所述第一源極連接電源;所述開關薄膜晶體管包括第三柵極、第三源極和第三漏極,所述第三柵極連接所述第一漏極,所述第三源極連接所述電源,所述第三漏極連接信號讀取端;
制作像素單元,并將所述像素單元與所述驅動單元電連接,以使所述驅動單元驅動所述像素單元。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述在所述基板上并列形成感光薄膜晶體管、開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管包括:
在所述基板上分別形成所述感光薄膜晶體管的第一有源部和所述驅動薄膜晶體管的第二有源部,所述第一有源部和所述第二有源部使用不同的材料制成。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述在所述基板上分別形成所述感光薄膜晶體管的第一有源部和所述驅動薄膜晶體管的第二有源部包括:
將所述第一有源部和所述第二有源部同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





