[發明專利]一種改善Frit燒結效果的方法在審
| 申請號： | 202110859465.2 | 申請日： | 2021-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN113707834A | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發明（設計）人： | 段海超;葉雁祥;勞澤斌;蔡曉義 | 申請（專利權）人： | 信利（惠州）智能顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 唐超 |
| 地址： | 516029 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 frit 燒結 效果 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善Frit燒結效果的方法，其特征在于，包括如下步驟：
在驅動基板上的相對應的Frit接觸區域制備第一無機膜層；
在所述第一無機膜層上制備金屬層；
在所述金屬層上加工形成多個不相連的金屬單元孔，所述金屬單元孔的分布密度沿著Frit中心線向外圍方向逐漸減小，從而形成所述金屬單元孔的內密外疏的分布方式。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一無機膜層包括SiNx或SiO2。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述金屬層遠離所述第一無機膜層的端面上制備第二無機膜層，所述第二無機膜層會填充所述金屬單元孔。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬層包括金屬Mo。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二無機膜層包括SiNx，所述第二無機膜層的厚度不超過
6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，第二無機膜層包括SiO2，所述第二無機膜層的厚度不超過
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述金屬層為Ti-Al-Ti層狀復合金屬層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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