[發(fā)明專利]一種改善Frit燒結(jié)效果的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110859465.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113707834A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 段海超;葉雁祥;勞澤斌;蔡曉義 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 唐超 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 frit 燒結(jié) 效果 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種改善Frit燒結(jié)效果的方法,包括如下步驟:在驅(qū)動(dòng)基板上的相對(duì)應(yīng)的Frit接觸區(qū)域制備第一無機(jī)膜層;在所述第一無機(jī)膜層上制備金屬層;在所述金屬層上加工形成多個(gè)不相連的金屬單元孔,所述金屬單元孔的分布密度沿著Frit中心線向外圍方向逐漸減小,從而形成所述金屬單元孔的內(nèi)密外疏的分布方式。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示面板生產(chǎn)領(lǐng)域,具體涉及一種改善Frit燒結(jié)效果的方法。
背景技術(shù)
有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)進(jìn)行封裝的主要目的是將外界水汽和氧氣隔絕在有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)面板以外,以保證OLED有機(jī)膜的使用壽命。目前應(yīng)用于AMOLED封裝的材料包括Frit(玻璃粉)、TFE(四氟乙烯)、UV膠等。AMOLED產(chǎn)品分為Rigid(硬屏)與Flexible(柔性屏),兩種屏幕的最大區(qū)別就是封裝方式的不同。Rigid(硬屏)的封裝方式是封裝基板和驅(qū)動(dòng)基板貼合后采用Frit將兩塊玻璃基板進(jìn)行密封,而柔性屏采用的是薄膜封裝方式。
封裝對(duì)于Rigid AMOLED產(chǎn)品的可靠性能有很大的影響,Rigid AMOLED采用Frit封裝工藝,F(xiàn)rit封裝工藝一般包括Frit絲網(wǎng)印刷,F(xiàn)rit高溫?zé)Y(jié),封裝基板和驅(qū)動(dòng)基板貼合,激光焊接Frit。激光焊接Frit是通過Laser Sealing(激光密封)工藝,使用激光燒結(jié)技術(shù),使Frit燒結(jié),以達(dá)到將OLED面板與外界空氣隔絕的目的。激光焊接Frit作為Frit封裝工藝最后一道重要工藝流程,在Frit封裝技術(shù)中起到?jīng)Q定性作用。
激光焊接Frit所使用的激光類型一般為半導(dǎo)體激光器,半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的激光的光斑大小為800-1000um,激光能量沿光斑中心向外圍遞減。在激光焊接Frit過程中,操作人員一般把激光的光斑的中心對(duì)準(zhǔn)Frit線條的中心,然后選擇合適的能量將Frit融化,之后Frit迅速冷卻從而將兩塊玻璃基板焊接,兩塊玻璃基板之間形成一個(gè)密閉的空間。
但現(xiàn)有的激光焊接Frit的技術(shù)方案存在的技術(shù)問題為:一般Frit線條的線寬為300-600um,激光聚焦到Frit上時(shí),處于激光的光斑中心的Frit會(huì)吸收更多的激光能量,相反處于激光的光斑的邊緣的Frit就會(huì)吸收比較少的激光能量,因此無法使Frit線條各部位的燒結(jié)效果一致,從而導(dǎo)致可能出現(xiàn)兩種情況:1.處于激光的光斑中心的Frit出現(xiàn)氣泡,處于激光的光斑的邊緣的Frit燒結(jié)正常;2.處于激光的光斑中心的Frit燒結(jié)正常,處于激光的光斑的邊緣的Frit燒結(jié)不足。
術(shù)語(yǔ)定義
本發(fā)明中記載的“Frit中心線”的定義為,制備的Frit線其沿寬度方向的中線,激光的光斑中心落在該中線上。
本發(fā)明中記載的“接觸區(qū)域”的定義為,封裝基板和驅(qū)動(dòng)基板貼合后Frit覆蓋驅(qū)動(dòng)基板的區(qū)域,即驅(qū)動(dòng)基板上相對(duì)應(yīng)的Frit接觸區(qū)域。
本發(fā)明中記載“分布密度”的定義為,單位面積上單個(gè)或多個(gè)金屬單元孔所占總面積的比值,單位面積上金屬單元孔所占面積的比值越大則分布密度越大,多個(gè)金屬單元孔的面積大小或形狀可以不相同。
本發(fā)明中記載“封裝基板”的定義為,帶有觸控電路和密封材料的玻璃片。
本發(fā)明中記載“驅(qū)動(dòng)基板”的定義為,帶有驅(qū)動(dòng)電路和發(fā)光層的玻璃片。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種改善Frit燒結(jié)效果的方法,該方法能實(shí)現(xiàn)在激光焊接Frit過程中Frit線條各部位的燒結(jié)效果一致。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種改善Frit燒結(jié)效果的方法,具體包括如下步驟:
步驟一,通過絲網(wǎng)印刷工藝,將Frit成型于封裝基板上,然后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié),備用;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇
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