[發明專利]晶圓涂覆清洗裝置在審
| 申請號: | 202110856121.6 | 申請日: | 2021-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN113539907A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 趙裕興;韓秋杰 | 申請(專利權)人: | 蘇州德龍激光股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/02;B08B5/02;F26B21/00 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 王玉國 |
| 地址: | 215021 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓涂覆 清洗 裝置 | ||
本發明涉及晶圓涂覆清洗裝置,包括水槽組件、旋轉軸組件、涂覆擺臂組件、清洗擺臂組件和吸附載臺,旋轉軸組件、涂覆擺臂組件和清洗擺臂組件均安裝在水槽組件上,旋轉軸組件位于水槽組件的中間位置,涂覆擺臂組件和清洗擺臂組件位于旋轉軸組件的兩側位置,旋轉軸組件的頂部安裝有吸附載臺。本發明通過水槽組件、旋轉軸組件、涂覆擺臂組件、清洗擺臂組件和吸附載臺的結構設置,綜合對晶圓進行涂覆處理和清洗處理,處理效果較好,處理效率較高。
技術領域
本發明涉及晶圓加工相關技術領域,尤其涉及晶圓涂覆清洗裝置。
背景技術
高頻率電子元件中所使用的GaAs(砷化鎵)等化合物半導體,在采用金剛石磨輪刀片進行切割(以下:磨輪刀片切割)時,進給速度慢,難以提高生產效率。另外,在SIP(Systemin Package)等高集成化的背景下,高抗折強度的薄片制造技術也越來越重要。然而,然而,對于磨輪刀片切割來說,晶圓的厚度越薄,切割的難度也就越大。在晶圓進行切割加工之前需要進行前處理,在晶圓進行切割加工之后需要進行后處理,但是現有技術中對于晶圓的前處理和后處理一般是通過人工或者是單獨的設備進行處理,這樣的方式使得前處理和后處理的處理效果不好,且處理效率較低。
有鑒于上述的缺陷,本設計人積極加以研究創新,以期創設一種晶圓涂覆清洗裝置,使其更具有產業上的利用價值。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明的目的是提供一種晶圓涂覆清洗裝置。
為實現上述目的,本發明采用如下技術方案:
晶圓涂覆清洗裝置,包括水槽組件、旋轉軸組件、涂覆擺臂組件、清洗擺臂組件和吸附載臺,旋轉軸組件、涂覆擺臂組件和清洗擺臂組件均安裝在水槽組件上,旋轉軸組件位于水槽組件的中間位置,涂覆擺臂組件和清洗擺臂組件位于旋轉軸組件的兩側位置,旋轉軸組件的頂部安裝有吸附載臺;
水槽組件包括固定底座、水槽和升降氣缸,水槽通過若干個立柱安裝在固定底座上,升降氣缸沿著豎直方向安裝在固定底座上的一側,升降氣缸頂部的驅動端與旋轉軸組件在豎直方向上驅動連接設置;
旋轉軸組件包括伺服電機、旋轉固定盤和旋轉連接板,伺服電機依次通過上方的電機底座和旋轉固定盤與水槽相連接,旋轉固定盤內側設置有旋轉軸罩殼,伺服電機頂部的驅動軸依次通過第一聯軸器、密封旋轉軸與上方旋轉軸罩殼內側的旋轉連接板驅動連接設置,旋轉連接板上設置有吸附載臺;
涂覆擺臂組件和清洗擺臂組件的底部均安裝在固定底座上,涂覆擺臂組件和清洗擺臂組件的頂部均穿過水槽且位于吸附載臺上的兩側位置。
作為本發明的進一步改進,還包括罩殼組件,罩殼組件安裝在水槽上,罩殼組件包括密封罩殼,密封罩殼的頂部開設有開口,開口內部可移動的設置有密封卷簾,密封罩殼內還設置有卷簾氣缸,卷簾氣缸的驅動端與密封卷簾驅動連接設置,密封罩殼的外側還設置有第一歧管和第二歧管。
作為本發明的進一步改進,吸附載臺包括吸附盤和鋼環,吸附盤安裝在旋轉連接板上,吸附盤的外側設置有鋼環,吸附盤通過鋼環卡夾支架和卡夾與鋼環相連接。
作為本發明的進一步改進,水槽組件還包括導向限位組件,導向限位組件包括升降限位塊、直線軸承座和導向軸,升降限位塊安裝在固定底座上,導向軸通過直線軸承座安裝在旋轉固定盤上,導向軸的底部設置有升降限位塊。
作為本發明的進一步改進,水槽和立柱之間設置有減震器,水槽的底部還設置有排水法蘭口。
作為本發明的進一步改進,涂覆擺臂組件從下往上依次包括步進電機、空心軸、L型接頭和涂覆固定板,步進電機與上方的電機固定板相連接,步進電機頂部的驅動端依次通過第二聯軸器、連接軸、三通接頭、空心軸和L型接頭與涂覆固定板驅動連接設置,涂覆固定板上安裝有涂覆噴嘴,第二聯軸器和連接軸之間設置有與電機固定板連接的第一支撐座,空心軸通過第二支撐座安裝在電機固定板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





