[發明專利]指紋識別模組及指紋識別方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202110854065.2
• 申請日: 2021-07-27
• 公開（公告）號: CN113505749A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 韓城;李鑫;關新興;吳淞全;吳啟曉;張智輝;樊星;李彥松
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李弘

本公開提供一種指紋識別模組及指紋識別方法、顯示裝置。所述指紋識別模組，包括：襯底基板；光線會聚層，設置于所述襯底基板上，被配置為將指紋反射的雜散反射光線進行全反射會聚；感光層，設置于所述襯底基板及所述光線匯聚層之間，被配置為接收所述光線會聚層會聚后的所述雜散反射光線以及經指紋反射的主反射光線以生成指紋信號。本公開所述指紋識別模組及指紋識別方法、顯示裝置，能夠提高了指紋識別的準確性。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，尤其涉及一種指紋識別模組及指紋識別方法、顯示裝置。

背景技術

隨著終端技術的不斷發展，電子設備的應用越來越廣泛。由于皮膚紋路例如指紋圖案或掌紋圖案的唯一性，為保護用戶的信息安全，指紋識別功能在電子設備上的使用越來越普遍，比如用于手機解鎖、移動支付(如支付、轉賬)等。

相關技術中利用顯示裝置發出的光線在顯示裝置與手指形成的界面上的指紋谷位置處發生全反射，而指紋脊位置處反射率較低，這些反射光線由光敏感應單元采集并生成指紋圖案。

目前，指紋谷反射的光線包括主反射光線以及雜散反射光線，由于雜散反射光線的反射范圍較大，影響指紋識別準確性。

發明內容

有鑒于此，本公開的目的在于提出一種指紋識別模組及指紋識別方法、顯示裝置。

基于上述目的，本公開提供了一種指紋識別模組，包括：

襯底基板；

光線會聚層，設置于所述襯底基板上，被配置為將指紋反射的雜散反射光線進行全反射會聚；

感光層，設置于所述襯底基板及所述光線匯聚層之間，被配置為接收所述光線會聚層會聚后的所述雜散反射光線以及經指紋反射的主反射光線以生成指紋信號。

可選的，所述光線會聚層包括：

第一電極層，設置于所述感光層上；

多個第一微結構單元，設置于所述第一電極層上；

多個第二微結構單元，設置于所述第一電極層上，與所述第一微結構單元間隔設置，且所述第二微結構單元與第一微結構單元的交界處形成斜坡面，所述斜坡面與第一電極層之間為銳角；

第二電極層，設置于第二微結構單元遠離所述感光層的一側；

其中，所述第一電極層和所述第二電極層被配置為：在所述第一電極層與所述第二電極層之間形成電場，使所述第二微結構單元的折射率升高至大于所述第一微結構單元的折射率，以將入射至所述斜坡面的所述雜散反射光線反射至所述感光層。

可選的，所述第二微結構單元的折射率升高至為所述第一微結構單元的折射率的1.1～1.2倍。

可選的，所述斜坡面與所述第一電極層之間的銳角θ滿足：

arcsin(n1/n2)≤θ＜90°

其中，n1表示第一微結構單元的折射率，n2表示第二微結構單元的折射率。

可選的，所述第一微結構單元為截面為倒梯形的條形結構，所述第二微結構單元為截面為正梯形的條形結構。

可選的，所述第一微結構單元為截面為倒梯形的塊狀結構，所述第二微結構單元為截面為正梯形的塊狀結構，且多個所述第一微結構單元與多個所述第二微結構單元間隔陣列排布。

可選的，還包括：

平坦層，設置于所述第一微結構單元及所述第二微結構單元上，且與所述第二微結構單元一體成型。

可選的，所述第一電極層包括多個第一電極單元，且所述第一電極單元在所述襯底基板上的正投影與所述第二微結構單元靠近所述感光層的底面在所述襯底基板上的正投影重合。