[發明專利]場效應管的測試方法在審
| 申請號： | 202110852071.4 | 申請日： | 2021-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN113740691A | 公開（公告）日： | 2021-12-03 |
| 發明（設計）人： | 葛偉坡;潘建峰;章志強;劉春勝;王麗高 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭集成電路有限公司;杭州士蘭集昕微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡純;甄丹鳳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種場效應管的測試方法，其特征在于，包括：
在所述場效應管的源極和漏極之間施加第一電流，以釋放溝道區的電荷；
在所述場效應管的源極和漏極之間施加第二電流，以測試源極和漏極之間的電壓，
其中，所述第一電流大于所述第二電流；場效應管的源極和漏極之間具有寄生二極管，所述第二電流反向流過寄生二極管時，源極和漏極的電壓表征所述場效應管的漏源擊穿電壓。
2.根據權利要求1所述的場效應管的測試方法，其特征在于，在所述場效應管的擊穿狀態下施加所述第一電流和所述第二電流。
3.根據權利要求2所述的場效應管的測試方法，其特征在于，所述擊穿狀態為所述場效應管的源極和柵極短接的情況下，源極和漏極間有較大的電流通過。
4.根據權利要求1所述的場效應管的測試方法，其特征在于，所述第二電流為250uA。
5.根據權利要求1或4所述的場效應管的測試方法，其特征在于，所述第一電流為1mA～2A。
6.根據權利要求1所述的場效應管的測試方法，其特征在于，所述場效應管為P溝道MOSFET或者N溝道MOSFET。
7.根據權利要求1所述的場效應管的測試方法，其特征在于，所述場效應管包括LVTMOS、HVTMOS以及SVTMOS中的一種。
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