[發明專利]極紫外光光刻方法和系統

有效

• 申請號: 202110843435.2
• 申請日: 2021-07-26
• 公開（公告）號: CN113433805B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 吳寒;聞錦程;馬修泉;王力波;孫克雄;馬新敏;陸培祥
• 申請（專利權）人: 廣東省智能機器人研究院
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉羚

本申請涉及一種極紫外光光刻方法、系統、計算機設備和存儲介質。方法通過獲取極紫外光光刻請求；根據極紫外光光刻請求生成液滴靶材，并生成液滴靶材對應的高功率激光；將高功率激光作用于液滴靶材，以使液滴靶材等離子體化，獲取激光等離子體；將高功率激光和預設電磁場同時作用于激光等離子體，以使激光等離子體維持幾何形態和激發狀態；采集激光等離子體發射的符合預設要求的光作為光刻光源，基于光刻光源完成極紫外光光刻請求對應的光刻任務。本申請將高功率激光和預設電磁場同時作用于激光等離子體，以使激光等離子體維持幾何形態和激發狀態，從而可以有效提高光刻光源的發光效率，從而保證紫外光光刻質量。

技術領域

本申請涉及集成電路領域，特別是涉及一種極紫外光光刻方法和系統。

背景技術

半導體集成電路自出現發展至今，逐漸在當今社會中占據了不可或缺的地位。半導體集成電路，是指在一個半導體襯底上至少有一個電路塊的半導體集成電路系統。半導體集成電路是將晶體管，二極管等等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯，“集成”在一塊半導體單晶片上，從而完成特定的電路或者系統功能。光刻技術可以將電路圖形轉移到單晶體上，是現在推動集成電路發展的有效技術。光刻技術發展至今，已經到了極紫外光刻技術(EUV)階段，在獲取極紫外光刻光源的方法中，激光等離子體(LaserProduced?Plasma，LPP)光源是最有潛力的一種，這種方法可以獲得較高的轉換效率以及產生較低的碎屑污染。激光等離子體光源是通過高強度的脈沖激光作用于液滴靶材，讓液滴靶材在脈沖激光作用下達到極高溫度而產生激光等離子體，上述激光等離子體由于處于高能級狀態，會向低能級躍遷或與等離子體中的自由電子結合，從而發出一定波長的光。通過從上述激光等離子體發出的光中收集所需波長的光即可得到激光等離子體光源。

但是傳統的LPP光源使用單個主激光脈沖擊打靶材液滴，而不控制液滴在主激光脈沖作用后的運動和等離子體的狀態，這限制了激光能量的轉換率和光束質量。

發明內容

基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種能保證激光能量的轉換率，提高光束質量的極紫外光光刻方法和系統。

一種極紫外光光刻方法，所述方法包括：

獲取極紫外光光刻請求；

根據所述極紫外光光刻請求生成液滴靶材，并生成所述液滴靶材對應的高功率激光；

將所述高功率激光作用于所述液滴靶材，以使所述液滴靶材等離子體化，獲取激光等離子體；

將所述高功率激光和預設電磁場同時作用于所述激光等離子體，以穩定所述激光等離子體的幾何形態和激發狀態；

采集穩定后的所述激光等離子體發射的符合預設要求的光作為光刻光源，基于所述光刻光源完成所述極紫外光光刻請求對應的光刻任務。

在其中一個實施例中，所述高功率激光的頻率與所述液滴靶材的滴落頻率相匹配。

在其中一個實施例中，所述高功率激光的頻率與所述液滴靶材的滴落頻率相匹配包括：

所述高功率激光的頻率為所述液滴靶材的滴落頻率的整數倍或者整分數。

在其中一個實施例中，所述將所述高功率激光作用于所述液滴靶材，以使所述液滴靶材等離子體化，獲取激光等離子體包括：

將多路所述高功率激光聚焦作用于所述液滴靶材，以使所述液滴靶材等離子體化，獲取激光等離子體。

在其中一個實施例中，所述采集穩定后的所述激光等離子體發射的符合預設要求的光作為光刻光源之前，還包括：

獲取所述激光等離子體的漂移數據以及擴散數據；

根據所述漂移數據以及擴散數據調整所述高功率激光的強度以及所述預設電磁場的強度，以得到修正后的激光等離子體；