[發(fā)明專利]一種過溫保護電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110842521.1
• 申請日: 2021-07-26
• 公開（公告）號: CN113377148B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發(fā)明（設計）人: 孫金星
• 申請（專利權）人: 深圳市微源半導體股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 彭西洋;譚雪婷

1.一種過溫保護電路，其特征在于，包括電阻R23、電阻R21、三極管Q21、具有回滯功能的比較器、電壓反饋環(huán)路模塊，以及與電壓反饋環(huán)路模塊連接的第一電流鏡；所述電阻R23的一端與電壓反饋環(huán)路模塊連接，電阻R23的另一端接地；所述電阻R21的一端和三極管Q21的發(fā)射極均與第一電流鏡連接，電阻R21的另一端和三極管Q21的集電極均與電阻R23另一端連接后接地，且三極管Q21的基極還與三極管Q21的集電極連接；所述比較器的同相輸入端連接于電阻R21與第一電流鏡的公共連接端，比較器的反相輸入端連接于三極管Q21與第一電流鏡的公共連接端；

所述比較器的內部電路包括電流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二電流鏡、第三電流鏡、第四電流鏡；所述電流源I22的一端分別與MOS管P26的源極、MOS管P27的源極連接，MOS管P26的漏極和MOS管P27的漏極分別與第二電流鏡、第三電流鏡連接，MOS管P26的柵極和MOS管P27的柵極分別用作比較器的反相輸入端、同相輸入端；所述第二電流鏡和第三電流鏡還均與第四電流鏡連接，且第四電流鏡還與電流源I22的另一端連接；所述第三電流鏡與第四電流鏡的公共連接端用作比較器的輸出端；

所述第三電流鏡包括MOS管N25、MOS管N26、MOS管N27、MOS管N28；所述MOS管N25的源極與MOS管N26的源極和MOS管N27的源極連接，MOS管N25的漏極與MOS管P27的漏極連接，MOS管N25的柵極與MOS管N26的柵極和MOS管N27的柵極連接；所述MOS管N28的柵極與MOS管N27的漏極連接后接入第四電流鏡，MOS管N28的源極與MOS管N26的漏極連接，MOS管N28的漏極分別與MOS管N25的柵極，和MOS管N25的漏極連接；所述MOS管N25的源極還與第二電流鏡連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于，所述第二電流鏡包括MOS管N23和MOS管N24；所述MOS管N23的漏極與第四電流鏡連接，MOS管N23的柵極與MOS管N24的柵極連接，MOS管N23的源極與MOS管N24的源極連接后與MOS管N25的源極連接；所述MOS管N24的漏極與MOS管P26的漏極連接，且MOS管N24的漏極還連接于MOS管N24的柵極。

3.根據(jù)權利要求2所述的過溫保護電路，其特征在于，所述第四電流鏡包括MOS管P24和MOS管P25；所述MOS管P24的漏極分別與MOS管N23的漏極和MOS管P24的柵極連接，MOS管P24的柵極還與MOS管P25的柵極連接，MOS管P24的源極與電流源I22另一端連接；所述MOS管P25的漏極分別與MOS管N28的柵極，MOS管N27的漏極連接，MOS管P25的源極與電流源I22另一端連接。

4.根據(jù)權利要求1所述的過溫保護電路，其特征在于，所述電壓反饋環(huán)路模塊包括運算放大器、MOS管N21；所述運算放大器的同相輸入端用于接入基準電壓，運算放大器的反相輸入端分別與電阻R23和MOS管N21的源極連接，運算放大器的輸出端與MOS管N21的柵極連接；所述MOS管N21的漏極與第一電流鏡連接。

5.根據(jù)權利要求4所述的過溫保護電路，其特征在于，所述第一電流鏡包括MOS管P21、MOS管P22和MOS管P23；所述MOS管P21的源極與MOS管P22的源極和MOS管P23的源極相互連接，MOS管P21的漏極與MOS管N21的漏極連接，MOS管P21的柵極與MOS管P22的柵極連接；所述MOS管P22的漏極分別與電阻R21的一端和比較器的同相輸入端連接；所述MOS管P23的柵極連接于MOS管P21的柵極，且MOS管P23的柵極還連接于MOS管P21與MOS管N21的公共連接端；所述MOS管P23的漏極分別與MOS管Q21的發(fā)射極、比較器的反相輸入端連接。