[發明專利]一種過溫保護電路

有效

• 申請號: 202110842521.1
• 申請日: 2021-07-26
• 公開（公告）號: CN113377148B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 孫金星
• 申請（專利權）人: 深圳市微源半導體股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 彭西洋;譚雪婷

本發明公開一種過溫保護電路，包括電阻R23、電阻R21、三極管Q21、具有回滯功能的比較器、電壓反饋環路模塊，以及與電壓反饋環路模塊連接的第一電流鏡；所述電阻R23的一端與電壓反饋環路模塊連接，電阻R23的另一端接地；所述電阻R21的一端和三極管Q21的發射極均與第一電流鏡連接，電阻R21的另一端和三極管Q21的集電極均與電阻R23連接后接地。本發明將回滯功能在比較器內部進行實現，可減小芯片面積、節約成本，其具體是通過比較器的輸出信號控制內部電路的一個開關，從而改變負載MOS管的等效尺寸及控制負載MOS管的等效寬長比，進而實現回滯功能，簡單方便。

技術領域

本發明涉及過溫保護技術領域，尤其涉及一種過溫保護電路。

背景技術

電源類的集成電路產品日益滲透到現代生活的方方面面，作為一種保護機制，過溫關斷功能可以有效的在芯片溫度過高時，關斷電路，從而避免電路功能的異常或燒毀。而目前的過溫保護電路，一般的實現方式是用一個比較器，比較一個不隨溫度變化的基準電壓，和一個隨溫度而減小的負溫度系數的電壓，其中，回滯功能是通過改變基準電壓實現的，實現較為復雜。

發明內容

本發明的目的是提供一種過溫保護電路，該電路將回滯功能在比較器內部進行實現，可減小芯片面積、節約成本，其具體是通過比較器的輸出信號控制內部電路的一個開關，從而改變負載MOS管的等效尺寸及控制負載MOS管的等效寬長比，進而實現回滯功能，簡單方便。

為實現上述目的，采用以下技術方案：

一種過溫保護電路，包括電阻R23、電阻R21、三極管Q21、具有回滯功能的比較器、電壓反饋環路模塊，以及與電壓反饋環路模塊連接的第一電流鏡；所述電阻R23的一端與電壓反饋環路模塊連接，電阻R23的另一端接地；所述電阻R21的一端和三極管Q21的發射極均與第一電流鏡連接，電阻R21的另一端和三極管Q21的集電極均與電阻R23連接后接地，且三極管Q21的基極還與三極管Q21的集電極連接；所述比較器的同相輸入端連接于電阻R21與第一電流鏡的公共連接端，比較器的反相輸入端連接于三極管Q21與第一電流鏡的公共連接端。

進一步地，所述比較器的內部電路包括電流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二電流鏡、第三電流鏡、第四電流鏡；所述電流源I22的一端分別與MOS管P26的源極、MOS管P27的源極連接，MOS管P26的漏極和MOS管P27的漏極分別與第二電流鏡、第三電流鏡連接，MOS管P26的柵極和MOS管P27的柵極分別用作比較器的反相輸入端、同相輸入端；所述第二電流鏡和第三電流鏡還均與第四電流鏡連接，且第四電流鏡還與電流源I22的另一端連接；所述第三電流鏡與第四電流鏡的公共連接端用作比較器的輸出端。

進一步地，所述第三電流鏡包括MOS管N25、MOS管N26、MOS管N27、MOS管N28；所述MOS管N25的源極與MOS管N26的源極和MOS管N27的源極連接，MOS管N25的漏極與MOS管P27的漏極連接，MOS管N25的柵極與MOS管N26的柵極和MOS管N27的柵極連接；所述MOS管N28的柵極與MOS管N27的漏極連接后接入第四電流鏡，MOS管N28的源極與MOS管N26的漏極連接，MOS管N28的漏極分別與MOS管N25的柵極，和MOS管N25的漏極連接；所述MOS管N25的源極還與第二電流鏡連接。

進一步地，所述第二電流鏡包括MOS管N23和MOS管N24；所述MOS管N23的漏極與第四電流鏡連接，MOS管N23的柵極與MOS管N24的柵極連接，MOS管N23的源極與MOS管N24的源極連接后與MOS管N25的源極連接；所述MOS管N24的漏極與MOS管P26的漏極連接，且MOS管N24的漏極還連接于MOS管N23與MOS管N24的公共連接端。