[發明專利]驅動保護電路

在審

• 申請號: 202110841062.5
• 申請日: 2021-07-23
• 公開（公告）號: CN113381743A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 李鑫;葛征良;羅鵬
• 申請（專利權）人: 成都氮矽科技有限公司
• 主分類號: H03K17/081
• 分類號: H03K17/081;H03K17/687
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 劉自麗

本申請公開一種驅動保護電路，該驅動保護電路包括電連接的至少兩個驅動保護模塊，每個所述驅動保護模塊包括驅動模塊、下拉電阻、反相電路、第一開關管和第二開關管，所述驅動模塊的第一輸出端與所述第二開關管的第一端連接，所述驅動模塊的第一輸出端通過所述反相電路與所述第一開關管的第一端連接，所述驅動模塊的第二輸出端與所述第一開關管的第三端連接，所述第一開關管的第二端與所述第二開關管的第一端連接，所述下拉電阻與所述第一開關管并聯，所述第二開關管的第二端與相鄰的前一個驅動保護模塊中的第二開關管的第三端連接。本申請的驅動保護電路可有效抑制振鈴、EMI、EMC，避免出現驅動串擾及開關管誤開啟引起炸管。

技術領域

本申請涉及電力電子技術領域，具體涉及一種驅動保護電路。

背景技術

對于LLC電路(即諧振電路)的Demo(demonstration，原型或演示版)，調試時易出現炸管。具體地，驅動電路中的外掛大阻值下拉電阻對LC諧振有衰減作用，且能降低電磁干擾(Electromagnetic Interference，EMI)、電磁兼容性(ElectromagneticCompatibility，EMC)；但是下拉電阻大，驅動受電壓的變化率(dv/dt)影響較大，會在驅動電路中產生一定程度的驅動串擾。尤其是驅動電路中采用閾值電壓較小的場效應管(Field-Effect Transistor,FET)時，容易出現場效應管誤開啟，從而引起炸管。

發明內容

鑒于此，本申請提供一種驅動保護電路，以改善現有的驅動電路中的下拉電阻的大小不易進行平衡控制及存在的驅動串擾、閾值電壓小于傳統硅MOS管的FET誤開啟引起炸管等問題。

本申請提供了一種驅動保護電路，該驅動保護電路包括電連接的至少兩個驅動保護模塊，每個所述驅動保護模塊包括驅動模塊、下拉電阻、反相電路、第一開關管和第二開關管，所述驅動模塊的第一輸出端與所述第二開關管的第一端連接，所述驅動模塊的第一輸出端通過所述反相電路與所述第一開關管的第一端連接，所述驅動模塊的第二輸出端與所述第一開關管的第三端連接，所述第一開關管的第二端與所述第二開關管的第一端連接，所述下拉電阻與所述第一開關管并聯，所述第二開關管的第二端與相鄰的前一個驅動保護模塊中的第二開關管的第三端連接。

其中，所述反相電路包括反相器，所述反相器的輸入端與所述驅動模塊的第一輸出端連接，所述反相器的輸出端與所述第一開關管的第一端連接。

其中，所述第一開關管包括第一MOS管，所述第一開關管的第一端為所述第一MOS管的柵極，所述第一開關管的第二端為所述第一MOS管的漏極，所述第一開關管的第三端為所述第一MOS管的源極。

其中，所述第二開關管包括第二MOS管，所述第二開關管的第一端為所述第二MOS管的柵極，所述第二開關管的第二端為所述第二MOS管的漏極，所述第二開關管的第三端為所述第二MOS管的源極。

其中，所述第二MOS管為氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(High ElectronMobility Transistor，HEMT)、N型硅MOS管或碳化硅(SiC)MOS管。

其中，所述驅動模塊包括驅動芯片。

其中，所述驅動保護模塊還包括上拉電阻，所述驅動模塊的第一輸出端通過所述上拉電阻與所述第二開關管的第一端連接。

其中，所述下拉電阻并聯在所述第一開關管的第二端與第三端之間。

其中，所述驅動保護模塊還包括串聯電阻，所述串聯電阻設置在所述反相電路與所述第一開關管之間。

其中，所述串聯電阻的一端與所述反相電路的輸出端連接，所述串聯電阻的另一端與所述第一開關管的第一端連接。