[發明專利]驅動保護電路

在審

• 申請號: 202110841062.5
• 申請日: 2021-07-23
• 公開（公告）號: CN113381743A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 李鑫;葛征良;羅鵬
• 申請（專利權）人: 成都氮矽科技有限公司
• 主分類號: H03K17/081
• 分類號: H03K17/081;H03K17/687
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 劉自麗

1.一種驅動保護電路，其特征在于，包括電連接的至少兩個驅動保護模塊，每個所述驅動保護模塊包括驅動模塊、下拉電阻、反相電路、第一開關管和第二開關管，所述驅動模塊的第一輸出端與所述第二開關管的第一端連接，所述驅動模塊的第一輸出端通過所述反相電路與所述第一開關管的第一端連接，所述驅動模塊的第二輸出端與所述第一開關管的第三端連接，所述第一開關管的第二端與所述第二開關管的第一端連接，所述下拉電阻與所述第一開關管并聯，所述第二開關管的第二端與相鄰的前一個驅動保護模塊中的第二開關管的第三端連接。

2.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述反相電路包括反相器，所述反相器的輸入端與所述驅動模塊的第一輸出端連接，所述反相器的輸出端與所述第一開關管的第一端連接。

3.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述第一開關管包括第一MOS管，所述第一開關管的第一端為所述第一MOS管的柵極，所述第一開關管的第二端為所述第一MOS管的漏極，所述第一開關管的第三端為所述第一MOS管的源極。

4.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述第二開關管包括第二MOS管，所述第二開關管的第一端為所述第二MOS管的柵極，所述第二開關管的第二端為所述第二MOS管的漏極，所述第二開關管的第三端為所述第二MOS管的源極。

5.根據權利要求4所述的驅動保護電路，其特征在于，所述第二MOS管為GaN HEMT管、N型硅MOS管或SiC MOS管。

6.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述驅動模塊包括驅動芯片。

7.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述驅動保護模塊還包括上拉電阻，所述驅動模塊的第一輸出端通過所述上拉電阻與所述第二開關管的第一端連接。

8.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述下拉電阻并聯在所述第一開關管的第二端與第三端之間。

9.根據權利要求1所述的驅動保護電路，其特征在于，所述驅動保護模塊還包括串聯電阻，所述串聯電阻設置在所述反相電路與所述第一開關管之間。

10.根據權利要求9所述的驅動保護電路，其特征在于，所述串聯電阻的一端與所述反相電路的輸出端連接，所述串聯電阻的另一端與所述第一開關管的第一端連接。