[發(fā)明專利]一種MiniLED及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110840122.1 | 申請日: | 2021-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN113594195A | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 文云東;田起群;何赟 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽帝晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/54 |
| 代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 黃勇;任志龍 |
| 地址: | 233010 安徽省蚌埠市禹會區(qū)緯四街*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 miniled 及其 制作方法 | ||
1.一種MiniLED,包括MiniLED光源板(1)、LED芯片(2)和封膠層(4),所述LED芯片(2)設(shè)置在所述MiniLED光源板(1)上;其特征在于,還包括反射膜(3),所述封膠層(4)與所述反射膜(3)連接,所述反射膜(3)或所述封膠層(4)設(shè)置在所述MiniLED光源板(1)上;所述反射膜(3)上開設(shè)有通孔(31),所述LED芯片(2)與所述通孔(31)對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MiniLED,其特征在于,所述反射膜(3)設(shè)置在所述MiniLED光源板(1)上,所述LED芯片(2)遠(yuǎn)離所述MiniLED光源板(1)的一端穿過所述通孔(31),所述封膠層(4)設(shè)置在所述反射膜(3)遠(yuǎn)離所述MiniLED光源板(1)的一側(cè),且所述LED芯片(2)遠(yuǎn)離所述MiniLED光源板(1)的一端位于所述封膠層(4)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MiniLED,其特征在于,所述反射膜(3)靠近所述MiniLED光源板(1)的一側(cè)開設(shè)有與所述通孔(31)連通的導(dǎo)向槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MiniLED,其特征在于,所述封膠層(4)設(shè)置在所述MiniLED光源板(1)上,所述LED芯片(2)位于所述封膠層(4)內(nèi);所述反射膜(3)設(shè)置在所述封膠層(4)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種MiniLED,其特征在于,所述反射膜(3)遠(yuǎn)離所述MiniLED光源板(1)的一側(cè)開設(shè)有擴(kuò)光槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MiniLED,其特征在于,還包括兩層BEF膜(7),所述反射膜(3)與所述封膠層(4)位于兩層所述BEF膜(7)與所述MiniLED光源板(1)之間。
7.一種如權(quán)利要求6中MiniLED的制作方法,其特征在于,S1:物料準(zhǔn)備;
S2:激光打碼;
S3:除濕;
S4:印刷;
S5:SPI;
S6:固晶,將LED芯片(2)安裝在MiniLED光源板(1)上;
S7:回流焊;
S8:AOI;
S9:點亮;
S10:純水清洗;
S11:除濕;
S12:等離子清洗;
S13:點膠壓膜,先將封膠層(4)和反射膜(3)安裝在MiniLED光源板(1)上,然后再安裝兩層BEF膜(7);
S14:長烤;
S15:切割;
S16:清洗;
S17:除濕;
S18:點亮;
S19:老化;
S20:入庫。
8.一種如權(quán)利要求7中MiniLED的制作方法,其特征在于,在S9點亮過程中,檢測到異常不能點亮的時候,先進(jìn)行維修,維修后如果能夠點亮則可以進(jìn)行S10,如果維修后不能點亮,統(tǒng)一進(jìn)行回收,后續(xù)進(jìn)行拆卸進(jìn)行回收。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安徽帝晶光電科技有限公司,未經(jīng)安徽帝晶光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110840122.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





