[發(fā)明專利]一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110836421.8
• 申請(qǐng)日: 2021-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN113594295A
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳黑晶光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44339
• 代理人: 李俊

本發(fā)明公開了一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池制備方法，其特征在于包括如下步驟：S100、選用硅片作為電池的硅基片，且對(duì)該硅基片的正面和背面進(jìn)行制絨或拋光處理；S200、在硅基片的正面和背面制成第一氧化硅鈍化層，且在該第一氧化硅鈍化層上形成多晶硅層；S300、在多晶硅層上進(jìn)行N型原位摻雜處理生成N型摻雜多晶硅鈍化層；S400、在N型摻雜多晶硅鈍化層上形成氧化保護(hù)層。本發(fā)明給了一種用于制作太陽能電池形成結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法能良好地在硅基片上形成各層狀結(jié)構(gòu)，正反面隧穿鈍化接觸的復(fù)合多晶硅鈍化層，制備出的硅底電池開路電壓高，尤其適用于多結(jié)疊層太陽電池制備，光電轉(zhuǎn)換效率更高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池制備方法。

背景技術(shù)

光伏能源作為最重要的可再生能源之一，近年來發(fā)展十分迅猛。太陽能電池作為光伏能源系統(tǒng)的最重要部分，提高其光電轉(zhuǎn)換效率為減低光伏能源成本的最重要方式。

目前產(chǎn)業(yè)化的晶體硅光伏電池已逐漸接近瓶頸，效率提升較小，而疊層光伏電池由于其更高的極限效率，為減低光伏能源的度電成本提供最有利理論技術(shù)支持。

鈣鈦礦材料具有成本低廉，帶隙可調(diào)等特點(diǎn)，與硅底電池結(jié)合的鈣鈦礦-晶體硅疊層太陽電池可將硅太陽能電池的效率極限提升至40%以上，被光伏業(yè)內(nèi)認(rèn)為是最有希望的下一代光伏技術(shù)。

而現(xiàn)階段的晶體硅鈣鈦礦疊層太陽電池由于制備工藝限制，底電池的前表面一般采用拋光面且未鈍化的發(fā)射極，導(dǎo)致疊層電壓較低而影響整體的光電轉(zhuǎn)換效率。基于此缺陷，需要重新設(shè)計(jì)一種適用于多結(jié)疊層太陽電池的雙面隧穿鈍化接觸的硅底電池結(jié)構(gòu)，根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)制造工藝方法。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述情況，本發(fā)明的目的是提供一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池制備方法，方案如下：

一種雙面鈍化結(jié)構(gòu)的太陽能電池制備方法，包括如下步驟：

S100、選用硅片作為電池的硅基片，且對(duì)該硅基片的正面和背面進(jìn)行制絨或拋光處理；

S200、在所述硅基片的正面和背面制成第一氧化硅鈍化層，且在該第一氧化硅鈍化層上形成多晶硅層；

S300、在所述多晶硅層上進(jìn)行N型原位摻雜處理生成N型摻雜多晶硅鈍化層；

S400、在所述N型摻雜多晶硅鈍化層上形成氧化保護(hù)層；

S500、通過蝕刻的方法對(duì)所述硅基片背面一側(cè)的所述氧化保護(hù)層、N型摻雜多晶硅鈍化層和第一氧化硅鈍化層進(jìn)行清除處理，直到所述硅基片，形成隧穿結(jié)構(gòu)；

S600、通過蝕刻的方法對(duì)所述硅基片正面一側(cè)的所述氧化保護(hù)層進(jìn)行清除處理，直到所述N型摻雜多晶硅鈍化層，形成隧穿結(jié)構(gòu)；

S700、在所述硅基片的正面和背面一側(cè)制成第二氧化硅鈍化層和多晶硅鈍化層；

S800、硅基片在上一步中兩側(cè)形成的第二多晶硅鈍化層上進(jìn)行P型原位摻雜生成P型摻雜多晶硅鈍化層；

S900、在硅基片背面一側(cè)的P型摻雜多晶硅鈍化層上制成減反射層；

S1000、在上一步中得到的減反射層上制成金屬底電極層。

進(jìn)一步，在所述步驟S200中，第一氧化硅鈍化層和多晶硅層，以及所述步驟S400中氧化保護(hù)層的形成方法采用低壓化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法和濺射法中的一種或幾種。

進(jìn)一步，在所述步驟S300中，生成N型摻雜多晶硅鈍化層的工藝包括擴(kuò)散法。

進(jìn)一步，在所述步驟S500中,所述蝕刻的方法為離子蝕刻或/和濕法蝕刻中的一種或兩種。

進(jìn)一步，在所述步驟S600中,所述蝕刻的方法為BOE/HF濕法蝕刻。

進(jìn)一步，在所述步驟S700中，第二氧化硅鈍化層和多晶硅鈍化層的形成方法采用低壓化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法和濺射法中的一種或幾種。