[發(fā)明專利]高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110836071.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-07-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113666737A | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 岳振星;馬志宇;郭蔚嘉;駱宇;陳雨谷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C04B35/462 | 分類號(hào)： | C04B35/462;C04B35/50;C04B35/622;C04B35/64;H01P1/20;H01P7/10 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人： | 陳波 |
| 地址： | 10008*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介電常數(shù) 損耗 微波 介質(zhì) 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的介電常數(shù)為78～80，Q×f值為13900～15200GHz，諧振頻率溫度系數(shù)為-5～+5ppm/℃。
2.如權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷：所述陶瓷的原料組分包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為16％～17％的BaO、28％～29％的Sm2O3、15％～16％的Nd2O3、38％～39％的TiO2。
3.如權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷：所述陶瓷中還可以包括原料組分0.1％～1.0％的Al2O3。
4.如權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷：所述陶瓷中還可以包括原料組分0.25％～0.75％的氧化物摻雜劑。
5.如權(quán)利要求4所述的高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷：所述氧化物摻雜劑可以為SnO2、WO3或TiO2。
6.權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：
第一步，按照上面的質(zhì)量百分比例稱取除氧化物摻雜劑以外的原料粉體，加入無水乙醇，混合，干燥，過篩，煅燒；對(duì)煅燒后的粉體進(jìn)行球磨、干燥、過篩處理；
第二步，向第一步過篩處理后或的粉體中按比例添加氧化物摻雜劑，球磨、干燥、過篩后加入聚乙烯醇水溶液，研磨造粒，壓制成圓柱形坯體；
第三步，坯體經(jīng)排膠后進(jìn)行燒結(jié)，隨后進(jìn)行退火處理。
7.如權(quán)利要求6所述高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于：所述第一步中煅燒溫度為1100～1200℃，煅燒時(shí)間為2～4時(shí)。
8.如權(quán)利要求6所述高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于：所述第二步中壓制坯體時(shí)施加200兆帕的單軸壓力。
9.如權(quán)利要求6所述高介電常數(shù)低損耗微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于：所述第三步中排膠處理溫度為600℃，排膠時(shí)長為4時(shí)；燒結(jié)溫度為1350～1450℃，燒結(jié)氣氛為空氣或O2，燒結(jié)時(shí)間為4～8時(shí)；退火溫度為1250～1350℃，退火氣氛為空氣或O2，退火時(shí)間為0～16時(shí)。
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