[發明專利]具有鉭基合金吸收體的極紫外掩模

在審

• 申請號: 202110835210.2
• 申請日: 2021-07-23
• 公開（公告）號: CN114089596A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 許倍誠;連大成;李信昌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/54
• 分類號: G03F1/54;G03F1/24
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 楊佳婧

本公開涉及具有鉭基合金吸收體的極紫外掩模。提供了一種極紫外掩模，包括襯底、在襯底上的反射多層堆疊、和在反射多層堆疊上的經圖案化的吸收體層。經圖案化的吸收體層包括合金，該合金包括鉭和至少一種合金元素。該至少一種合金元素包括至少一種過渡金屬元素或至少一種第14族元素。

技術領域

本公開涉及半導體器件，尤其涉及具有鉭基合金吸收體的極紫外掩模。

背景技術

半導體工業經歷了指數級增長。材料和設計方面的技術進步產生了幾代集成電路(integrated circuit，IC)，其中每一代都具有比上一代更小和更復雜的電路。在IC演進過程中，功能密度(即，每個芯片面積的互連器件的數量)普遍增加，而幾何尺寸(即，使用制造工藝能夠創建的最小組件或線路)減少。這種按比例縮小的工藝通常通過提高生產效率和降低相關成本來提供益處。

發明內容

根據本公開的一方面，提供了一種極紫外(EUV)掩模，包括：襯底；反射多層堆疊，在所述襯底上；以及經圖案化的吸收體層，在所述反射多層堆疊上，其中，所述經圖案化的吸收體層包括合金，所述合金包括鉭(Ta)和至少一種合金元素，所述至少一種合金元素包括至少一種過渡金屬元素或至少一種第14族元素。

根據本公開的一方面，提供了一種形成極紫外(EUV)掩模的方法，包括：在襯底上形成反射多層堆疊；在所述反射多層堆疊上沉積帽蓋層；在所述帽蓋層上沉積吸收體層，其中，所述吸收體層包括合金，所述合金包括鉭(Ta)和至少一種合金元素，所述至少一種合金元素包括至少一種過渡金屬元素或至少一種第14族元素；在所述吸收體層上形成經圖案化的硬掩模層；以及使用所述經圖案化的硬掩模層作為蝕刻掩模，來蝕刻所述吸收體層以在其中形成多個開口，所述多個開口暴露出所述帽蓋層的表面。

根據本公開的一方面，提供了一種形成極紫外(EUV)掩模的方法，包括：在襯底上形成反射多層堆疊；在所述反射多層堆疊上沉積帽蓋層；在所述帽蓋層上形成緩沖層；在所述緩沖層上沉積吸收體層，其中，所述吸收體層包括合金，所述合金包括鉭(Ta)和至少一種過渡金屬元素，所述至少一種過渡金屬元素選自由下列項組成的組：鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鐵(Fe)、釕(Ru)、鈷(Co)、銠(Rh)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、和金(Au)；在所述吸收體層上形成硬掩模層；蝕刻所述硬掩膜層以形成經圖案化的硬掩膜層；以及使用所述經圖案化的硬掩模層作為蝕刻掩模，來蝕刻所述吸收體層以在其中形成多個開口，所述多個開口暴露出所述帽蓋層的表面。

附圖說明

在結合附圖閱讀時，可以從下面的具體實施方式中最佳地理解本公開的各方面。應當注意，根據行業的標準做法，各種特征不是按比例繪制的。事實上，為了討論的清楚起見，各種特征的尺寸可能被任意增大或減小。

圖1是根據第一實施例的極紫外(extreme ultraviolet，EUV)掩模的截面圖。

圖2是根據一些實施例的制造圖1的EUV掩模的方法的流程圖。

圖3A-圖3L是根據一些實施例的處于圖2的制造工藝的各個階段的EUV掩模的截面圖。

圖4是根據第二實施例的極紫外(EUV)掩模的截面圖。

圖5是根據一些實施例的制造圖4的EUV掩模的方法的流程圖。

圖6A-圖6J是根據一些實施例的處于圖5的制造工藝的各個階段的EUV掩模的截面圖。

具體實施方式