[發(fā)明專利]具有鉭基合金吸收體的極紫外掩模

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110835210.2
• 申請(qǐng)日: 2021-07-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114089596A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許倍誠(chéng);連大成;李信昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/54
• 分類號(hào): G03F1/54;G03F1/24
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 楊佳婧

1.一種極紫外(EUV)掩模，包括：

襯底；

反射多層堆疊，在所述襯底上；以及

經(jīng)圖案化的吸收體層，在所述反射多層堆疊上，其中，所述經(jīng)圖案化的吸收體層包括合金，所述合金包括鉭(Ta)和至少一種合金元素，所述至少一種合金元素包括至少一種過(guò)渡金屬元素或至少一種第14族元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV掩模，其中，所述合金是具有高達(dá)90原子％的Ta濃度的富Ta合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV掩模，其中，所述至少一種過(guò)渡金屬元素選自由下列項(xiàng)組成的組：鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鐵(Fe)、釕(Ru)、鈷(Co)、銠(Rh)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、及其合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV掩模，其中，所述經(jīng)圖案化的吸收體層包括TaCr、TaHf、TaIr、TaNi、TaRu、TaCo、TaAu、TaMo、TaW、TaFe、TaRh、TaV、TaNb、TaPd、TaZr、TaTi、或TaPt。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV掩模，其中，所述至少一種第14族元素是硅或鍺。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV掩模，其中，所述經(jīng)圖案化的吸收體層包括TaSi或TaGe。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EUV掩模，其中，所述合金還包括至少一種間隙元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的EUV掩模，其中，所述至少一種間隙元素包括氮(N)、氧(O)、硼(B)、碳(C)、或其組合。

9.一種形成極紫外(EUV)掩模的方法，包括：

在襯底上形成反射多層堆疊；

在所述反射多層堆疊上沉積帽蓋層；

在所述帽蓋層上沉積吸收體層，其中，所述吸收體層包括合金，所述合金包括鉭(Ta)和至少一種合金元素，所述至少一種合金元素包括至少一種過(guò)渡金屬元素或至少一種第14族元素；

在所述吸收體層上形成經(jīng)圖案化的硬掩模層；以及

使用所述經(jīng)圖案化的硬掩模層作為蝕刻掩模，來(lái)蝕刻所述吸收體層以在其中形成多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)開(kāi)口暴露出所述帽蓋層的表面。

10.一種形成極紫外(EUV)掩模的方法，包括：

在襯底上形成反射多層堆疊；

在所述反射多層堆疊上沉積帽蓋層；

在所述帽蓋層上形成緩沖層；

在所述緩沖層上沉積吸收體層，其中，所述吸收體層包括合金，所述合金包括鉭(Ta)和至少一種過(guò)渡金屬元素，所述至少一種過(guò)渡金屬元素選自由下列項(xiàng)組成的組：鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鐵(Fe)、釕(Ru)、鈷(Co)、銠(Rh)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、和金(Au)；

在所述吸收體層上形成硬掩模層；

蝕刻所述硬掩膜層以形成經(jīng)圖案化的硬掩膜層；以及

使用所述經(jīng)圖案化的硬掩模層作為蝕刻掩模，來(lái)蝕刻所述吸收體層以在其中形成多個(gè)開(kāi)口，所述多個(gè)開(kāi)口暴露出所述帽蓋層的表面。