[發明專利]一種半導體激光器腔面鍍膜方法

在審

• 申請號: 202110831024.1
• 申請日: 2021-07-22
• 公開（公告）號: CN113652653A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 李達
• 申請（專利權）人: 深圳源國光子通信有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/50
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 姚曉麗

1.一種半導體激光器腔面，包括鍍膜爐(1)和轉動架(2)，其特征在于：所述轉動架(2)位于鍍膜爐(1)的內部，所述轉動架(2)的底部均設置有掛桿(3)，所述掛桿(3)的頂部固定連接有固定塊(4)，所述固定塊(4)的內部設置有限位組件(5)，兩個固定塊(4)相互遠離的一側均設置有調節組件(6)，所述轉動架(2)的底部開設有與固定塊(4)配合使用的卡槽(7)，所述卡槽(7)的內壁開設有與限位組件(5)配合使用的限位槽(8)，所述掛桿(3)的表面套設有四個滑套(9)，所述滑套(9)的兩側均固定連接有放置桿(10)，所述滑套(9)的前側和后側均設置有定位組件(11)，所述掛桿(3)的前側和后側均開設有定位組件(11)配合使用的定位槽(12)；

鍍膜方法第一步：先沿著掛桿(3)的軌跡來調節滑套(9)與放置桿(10)的位置，使其到達一個適當的位置，合理的運用空間，之后通過定位組件(11)與定位槽(12)之間的配合來對滑套(9)進行定位；

第二步：之后將需要鍍膜的半導體激光器工件掛在放置桿(10)上，之后向下推動調節組件(6)，調節組件(6)與限位組件(5)配合快速將固定塊(4)卡入對應卡槽(7)內部，完成定位；

第三步：最后啟動鍍膜爐(1)，將涂層材料做為靶陰極，利用氬離子轟擊靶材，產生陰極濺射，把靶材原子濺射到半導體激光器工件上形成沉積層的一種鍍膜完成對鍍膜，最后再將其取出。

2.如權利要求1所述的一種半導體激光器腔面，其特征在于：所述限位組件(5)包括定位塊(501)和兩個滑桿(502)，所述滑桿(502)靠近定位塊(501)的一側與定位塊(501)的表面固定連接，所述定位塊(501)的頂部與固定塊(4)的內壁固定連接，所述滑桿(502)遠離定位塊(501)的一側設置有限位桿(503)，所述限位桿(503)與限位槽(8)配合使用，所述限位桿(503)的底部固定連接有傳動塊(504)，所述傳動塊(504)的前側通過第一轉軸活動連接有傳動桿(505)，所述傳動桿(505)與調節組件(6)配合使用。

3.如權利要求2所述的一種半導體激光器腔面鍍膜方法，其特征在于：所述調節組件(6)包括活動塊(601)和兩個壓縮彈簧(602)，所述壓縮彈簧(602)的頂部與活動塊(601)的底部固定連接，所述活動塊(601)的前側固定連接有調節桿(603)，所述調節桿(603)的前側貫穿至固定塊(4)的前側，所述活動塊(601)的頂部固定連接有連接塊(604)，所述傳動桿(505)靠近連接塊(604)的一側通過第二轉軸與連接塊(604)的表面活動連接。

4.如權利要求1所述的一種半導體激光器腔面，其特征在于：所述定位組件(11)包括U型塊(1101)、轉動桿(1102)和轉動塊(1103)，所述轉動桿(1102)位于U型塊(1101)的內部，所述轉動桿(1102)的兩側均與U型塊(1101)的內壁固定連接，所述轉動塊(1103)套設于轉動桿(1102)的表面，所述轉動塊(1103)的兩側均固定連接有扭力彈簧(1104)，所述扭力彈簧(1104)遠離轉動塊(1103)的一側與U型塊(1101)的內壁固定連接，所述轉動塊(1103)遠離滑套(9)的一側固定連接有連接板(1105)，所述連接板(1105)靠近滑套(9)一側的頂部固定連接有定位桿(1106)，所述定位桿(1106)與定位槽(12)配合使用。

5.如權利要求4所述的一種半導體激光器腔面，其特征在于：所述定位槽(12)的數量為若干，且均勻分布于滑桿(502)的兩側。

6.如權利要求3所述的一種半導體激光器腔面，其特征在于：所述活動塊(601)的兩側均固定連接有滑塊(13)，所述固定塊(4)的內壁開設有與滑塊(13)配合使用的滑槽(14)。

7.如權利要求2所述的一種半導體激光器腔面，其特征在于：所述限位桿(503)靠近滑桿(502)的一側開設有滑動孔(15)，所述滑動孔(15)與滑桿(502)配合使用。

8.如權利要求1所述的一種半導體激光器腔面，其特征在于：所述掛桿(3)的數量為若干，且均勻分布于轉動架(2)的底部。