[發(fā)明專利]一種氧化鋁疏水薄膜的生產(chǎn)裝置及其生產(chǎn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110824721.4 | 申請日: | 2021-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN113549878A | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林武輝;符堅;薛滿庫;何學(xué)萍 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江海順新材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26;C23C14/08 |
| 代理公司: | 嘉興啟帆專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 張抗震 |
| 地址: | 314009 浙江省湖*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化鋁 疏水 薄膜 生產(chǎn) 裝置 及其 方法 | ||
本公開公開一種氧化鋁疏水薄膜的生產(chǎn)裝置及其生產(chǎn)方法,屬于氧化鋁疏水薄膜生產(chǎn)領(lǐng)域,包括真空室,所述真空室內(nèi)設(shè)有高頻螺旋線圈,所述高頻螺旋線圈中央設(shè)有坩鍋,所述真空室的側(cè)壁設(shè)有上料裝置,所述上料裝置通過對膜材物料進(jìn)行拋射投入坩鍋內(nèi);通過對膜材物料拋射投入坩鍋內(nèi)的方式進(jìn)行上料,一方面可以取得更好的氣化蒸發(fā)效果且保證生產(chǎn)連續(xù)性,同時可以使上料裝置不在真空室內(nèi)如此保證不會逸出的其它離子引起膜層的污染。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開屬于氧化鋁疏水薄膜生產(chǎn)領(lǐng)域,具體涉及一種氧化鋁疏水薄膜的生產(chǎn)裝置及其生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)
薄膜是一種物質(zhì)形態(tài),它所使用的膜材料非常廣泛,可以是單質(zhì)元素或化合物,也可以是無機材料或有機材料。薄膜與塊狀物質(zhì)一樣,可以是單晶態(tài)的,多晶態(tài)的或非晶態(tài)的。近年來功能材料薄膜和復(fù)合薄膜也有很大發(fā)展。鍍膜技術(shù)及薄膜產(chǎn)品在工業(yè)上的應(yīng)用非常廣泛。鍍膜方法可以分為氣相生成法,氧化法,離子注入法,擴散法,電鍍法,涂布法,液相生長法等。氣相生成法又可分為物理氣相沉積法,化學(xué)氣相沉積法和放電聚合法等。真空蒸發(fā),濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理氣相沉積法,是基本的薄膜制備技術(shù)。它們都要求淀積薄膜的空間要有一定的真空度。所以,真空技術(shù)是薄膜制作技術(shù)的基礎(chǔ),獲得并保持所需的真空環(huán)境,是鍍膜的必要條件。真空系統(tǒng)的種類繁多。在實際工作中,必須根據(jù)自己的工作重點進(jìn)行選擇。典型的真空系統(tǒng)包括:獲得真空的設(shè)備(真空泵),待抽空的容器(真空室),測量真空的器具(真空計)以及必要的管道,閥門和其它附屬設(shè)備。真空蒸發(fā)鍍膜法包括一下幾種鍍膜方式:電阻蒸發(fā)源蒸鍍法、電子束蒸發(fā)源蒸鍍法、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法和激光束蒸發(fā)源蒸鍍法;所述高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法,高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是將裝有蒸發(fā)材料的石墨或陶瓷坩鍋放在水冷的高頻螺旋線圈中央,使蒸發(fā)材料在高頻帶內(nèi)磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生強大的渦流損失和磁滯損失(對鐵磁體),致使蒸發(fā)材料升溫,直至氣化蒸發(fā)。膜材的體積越小,感應(yīng)的頻率就越高。在鋼帶上連續(xù)真空鍍鋁的大型設(shè)備中,高頻感應(yīng)加熱蒸鍍工藝已經(jīng)取得令人滿意的結(jié)果,為了取得更好的氣化蒸發(fā)效果需要保證膜材的體積的大小適中,如此為了保證生產(chǎn)的連續(xù)性就需要自動添料裝置,并且要保證添料裝置不會逸出的其它離子引起膜層的污染。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本公開的目的在于提供一種氧化鋁疏水薄膜的生產(chǎn)裝置及其生產(chǎn)方法,解決了現(xiàn)有技術(shù)中高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法的膜材更換會導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的問題。
本公開的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):一種氧化鋁疏水薄膜的生產(chǎn)裝置,包括真空室,所述真空室內(nèi)設(shè)有高頻螺旋線圈,所述高頻螺旋線圈中央設(shè)有坩鍋,所述真空室的側(cè)壁設(shè)有上料裝置,所述上料裝置通過對膜材物料進(jìn)行拋射投入坩鍋內(nèi)。
進(jìn)一步地,所述上料裝置包括真空箱,真空箱內(nèi)設(shè)有旋轉(zhuǎn)盤,所述旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)盤外設(shè)有弧形通道,所述弧形通道一端設(shè)連接有導(dǎo)向料管,導(dǎo)向料管與真空室內(nèi)部相互連通,弧形通道內(nèi)側(cè)開設(shè)有第一環(huán)槽,轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)盤的側(cè)面設(shè)有第一推動葉片,第一推動葉片穿過第一環(huán)槽后活動安裝在弧形通道內(nèi),所述弧形通道上連接有進(jìn)料管。
進(jìn)一步地,所述進(jìn)料管上設(shè)有投料模塊,所述投料模塊包括隔斷塊和真空管,所述隔斷塊開設(shè)有第一過料孔,第一過料孔下端連接在進(jìn)料管上,第一過料孔上端連接有真空管,第一過料孔的側(cè)面開設(shè)有第一滑槽,第一滑槽內(nèi)設(shè)有活動的第一滑塊,第一滑塊的側(cè)面比第一過料孔的直徑大,第一滑塊上開設(shè)有第一通孔,所述真空管上方設(shè)有可以開閉的上蓋,所述真空管的側(cè)面開設(shè)有與第二過料孔相互連通的抽真空小孔,抽真空小孔與真空箱外的抽真空泵相互連通。
進(jìn)一步地,所述真空管的側(cè)面設(shè)有第一橫柱,第一橫柱上開設(shè)有第一安裝孔,第一安裝孔內(nèi)活動安裝有第二滑塊,第二滑塊與第一安裝孔底面之間設(shè)有第一彈簧,第一安裝孔與第二過料孔之間通過第一通孔相互連通;
所述第一橫柱上開設(shè)有第一讓位槽,第二滑塊遠(yuǎn)離第一通孔的一端設(shè)有第一安裝板,第一安裝板活動安裝在第一讓位槽內(nèi),第一滑塊遠(yuǎn)離第一過料孔的一端設(shè)有第二安裝板,第二安裝板與第一安裝板之間設(shè)有第二彈簧;
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 生產(chǎn)系統(tǒng)和生產(chǎn)方法
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