[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110824302.0
• 申請日: 2021-07-21
• 公開（公告）號: CN114256241A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一導電層，設置在一半導體基底上；

一導電接觸點，設置在該導電層上；以及

一導電線，設置在該導電接觸點上；

其中，在沿該導電線的一縱軸的一第一剖視圖中，該導電接觸點的一上部具有一錐形輪廓；以及在沿正交于該導電線的該縱軸的一線段的一第二剖視圖中，該導電接觸點的該上部具有一非錐形輪廓。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該導電接觸點的該上部在該第一剖視圖中的該錐形輪廓，是從該導電接觸點的一上表面逐漸變細。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中該導電接觸點的一下部在該第一剖視圖中具有一非錐形輪廓。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中在該導電接觸點與該導電線之間的一界面面積，是大于在導電接觸點與該導電層之間的一界面面積。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該導電接觸點完全被該導電線所覆蓋。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中在該第二剖視圖中，該導電線的一寬度大致相同于該導電接觸點的一寬度。

7.如權利要求1所述的半導體元件，還包括一源極/漏極區，設置在該半導體基底中，其中該導電線經由該導電接觸點與該導電層而電性連接到該源極/漏極區。

8.一種半導體元件，包括：

一導電層，設置在一半導體基底上；

一導電線，設置在該導電層上；以及

一導電接觸點，設置在該導電層與該導電線之間，且電性連接該導電層與該導電線，其中該導電接觸點包括：

一基部；以及

一第一膨脹部以及一第二膨脹部，是從該基部側向延伸，其中該第一膨脹部與該第二膨脹部是與該導電層分開設置，以及其中該第一膨脹部與該第二膨脹部具有錐形輪廓，是從該導電線朝向該導電層逐漸變細。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中該導電接觸點的該第一膨脹部與該導電接觸點的該第二膨脹部是分開設置，以及該第一膨脹部與該第二膨脹部是完全被該導電線所覆蓋。

10.如權利要求8所述的半導體元件，其中該導電接觸點的該第一膨脹部與該第二膨脹部是直接接觸該導電線。

11.如權利要求8所述的半導體元件，其中該導電接觸點的該第一膨脹部與該第二膨脹部的各上表面，是大致與該導電接觸點的該基部的一上表面為共面。

12.如權利要求8所述的半導體元件，其中在沿該導電線的一縱軸的一剖視圖中，該導電接觸點的該基部的一高度是大于該導電接觸點的該第一膨脹部的一高度與該導電接觸點的該第二膨脹部的一高度。

13.如權利要求8所述的半導體元件，其中該導電接觸點的該第一膨脹部與該第二膨脹部是各具有彎曲側壁。

14.一種半導體元件的制備方法，包括：

形成一導電層在一半導體基底上；

形成一介電層以覆蓋該導電層；

蝕刻該介電層而形成一開孔，以暴露該導電層；

蝕刻該介電層以形成一第一凹陷以及一第二凹陷并連接到該開孔，其中該開孔的一深度是大于該第一凹陷的一深度與該第二凹陷的一深度，以及其中該第一凹陷與該第二凹陷具有錐形輪廓，是朝向該導電層逐漸變細；

形成一導電接觸點在該導電層上，其中該開孔、該第一凹陷以及該第二凹陷是被該導電接觸點所填滿；以及

形成一導電線在該導電接觸點上。

15.如權利要求14所述的半導體元件的制備方法，其中該開孔具有一非錐形輪廓。