[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110824302.0
• 申請日: 2021-07-21
• 公開（公告）號: CN114256241A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開提供一種半導體元件及其制備方法，該半導體元件包括一導電層，設置在一半導體基底上；以及一導電接觸點，設置在該導電層上。該半導體元件亦包括一導電線，設置在該導電接觸點上。在沿該導電線的一縱軸的一第一剖視圖中，該導電接觸點的一上部具有一錐形輪廓；以及在沿正交于該導電線的該縱軸的一線段的一第二剖視圖中，該導電接觸點的該上部具有一非錐形輪廓。

技術領域

本申請案主張2020年9月24日申請的美國正式申請案第17/031,073號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

本公開是關于一種半導體元件及其制備方法。特別是有關于一種具有一錐形輪廓的一導電接觸點的半導體元件及其制備方法。

背景技術

對于許多現代應用，半導體元件是不可或缺的。隨著電子科技的進步，半導體元件的尺寸變得越來越小，于此同時提供較佳的功能以及包含較大的集成電路數量。由于半導體元件的規格小型化，實現不同功能的半導體元件的不同型態與尺寸規模，是整合(integrated)并封裝(packaged)在一單一模塊中。再者，許多制造步驟執行于各式不同型態的半導體裝置的整合(integration)。

然而，半導體元件的制造與整合包含許多復雜步驟與操作。在半導體元件中的整合是變得越加復雜。半導體元件的制造與整合的復雜度中的增加可造成多個缺陷。據此，有持續改善半導體元件的制造流程的需要，以便對付所述缺陷。

上文的「先前技術」說明僅是提供背景技術，并未承認上文的「先前技術」說明揭示本公開的標的，不構成本公開的先前技術，且上文的「先前技術」的任何說明均不應作為本案的任一部分。

發明內容

本公開的一實施例提供一種半導體元件。該半導體元件包括一導電層，設置在一半導體基底上；以及一導電接觸點，設置在該導電層上。該半導體元件亦包括一導電線，設置在該導電接觸點上。在沿該導電線的一縱軸的一第一剖視圖中，該導電接觸點的一上部具有一錐形輪廓；以及在沿正交于該導電線的該縱軸的一線段的一第二剖視圖中，該導電接觸點的該上部具有一非錐形輪廓。

在一實施例中，該導電接觸點的該上部在該第一剖視圖中的該錐形輪廓，是從該導電接觸點的一上表面逐漸變細。在一實施例中，該導電接觸點的一下部在該第一剖視圖中具有一非錐形輪廓。在一實施例中，在該導電接觸點與該導電線之間的一界面面積，是大于在導電接觸點與該導電層之間的一界面面積。在一實施例中，該導電接觸點完全被該導電線所覆蓋。在一實施例中，在該第二剖視圖中，該導電線的一寬度大致相同于該導電接觸點的一寬度。在一實施例中，該半導體元件還包括一源極/漏極區，設置在該半導體基底中，其中該導電線經由該導電接觸點與該導電層而電性連接到該源極/漏極區。

本公開的另一實施例提供一種半導體元件。該半導體元件包括一導電層，設置在一半導體基底上；以及一導電線，設置在該導電層上。該半導體元件亦包括一導電接觸點，設置在該導電層與該導電線之間，且電性連接該導電層與該導電線。該導電接觸點包括：一基部；以及一第一膨脹部以及一第二膨脹部，是從該基部側向延伸。該第一膨脹部與該第二膨脹部是與該導電層分開設置，以及其中該第一膨脹部與該第二膨脹部具有錐形輪廓，是從該導電線朝向該導電層逐漸變細。

在一實施例中，該導電接觸點的該第一膨脹部與該導電接觸點的該第二膨脹部是分開設置，以及該第一膨脹部與該第二膨脹部是完全被該導電線所覆蓋。在一實施例中，該導電接觸點的該第一膨脹部與該第二膨脹部是直接接觸該導電線。在一實施例中，該導電接觸點的該第一膨脹部與該第二膨脹部的各上表面，是大致與該導電接觸點的該基部的一上表面為共面。在一實施例中，在沿該導電線的一縱軸的一剖視圖中，該導電接觸點的該基部的一高度是大于該導電接觸點的該第一膨脹部的一高度與該導電接觸點的該第二膨脹部的一高度。在一實施例中，該導電接觸點的該第一膨脹部與該第二膨脹部是各具有彎曲側壁。