[發(fā)明專利]一種電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊及檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110822334.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-07-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113552226A | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李玲;黃志新;鄭斯宇;張集;張運(yùn);張倩蘭;彭興;張煒祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)航發(fā)成都發(fā)動(dòng)機(jī)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N29/30 | 分類號(hào): | G01N29/30 |
| 代理公司: | 成都正華專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 楊浩林 |
| 地址: | 610500 四川省*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子束 焊縫 超聲 檢測(cè) 比試 方法 | ||
1.一種電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,包括:上蓋板(10)、下蓋板(20)以及設(shè)置在所述上蓋板(10)和所述下蓋板(20)之間的環(huán)形塊(30);
所述環(huán)形塊(30)的外徑與超聲檢測(cè)工件的外徑一致,所述環(huán)形塊(30)的內(nèi)壁開設(shè)有兩組平底孔(31),所述環(huán)形塊(30)的外壁上開設(shè)有從上至下設(shè)置的兩個(gè)凹槽(32),兩個(gè)所述凹槽(32)之間形成有凸起(33),所述凸起(33)與所述平底孔(31)相對(duì)應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,兩組所述平底孔(31)的個(gè)數(shù)分別為四個(gè),并且位于同一水平線上,兩組所述平底孔(31)關(guān)于所述環(huán)形塊(30)的圓心對(duì)稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,所述平底孔(31)的直徑分別為0.04英寸和0.03英寸,所述平底孔(31)的深度分別為0.195英寸和0.19英寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,所述凸起(33)的寬度與超聲檢測(cè)工件的檢測(cè)面寬度一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,所述上蓋板(10)和所述下蓋板(20)的外徑大于所述環(huán)形塊(30)的外徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,所述上蓋板(10)上還開設(shè)有多個(gè)減重圓孔(11)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,所述下蓋板(20)上開設(shè)有定位圓孔(21)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,其特征在于,所述環(huán)形塊(30)經(jīng)過鍛造工藝處理。
9.一種電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的檢測(cè)方法,其特征在于,采用權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的電子束焊縫水浸超聲檢測(cè)的對(duì)比試塊,包括以下步驟:
S1:吊裝所述上蓋板(10),將所述下蓋板(20)放置于水浸超聲檢測(cè)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)盤卡爪上,并夾緊對(duì)比試塊;
S2:調(diào)節(jié)水浸探頭位置,找到所述凸起(33)的中間位置,調(diào)整探頭水距,使探頭焦點(diǎn)落于所述平底孔(31)的所在深度位置,并確定檢測(cè)范圍、調(diào)整檢測(cè)參數(shù)、編制檢測(cè)程序;
S3:進(jìn)行檢測(cè),形成C掃檢測(cè)圖,微調(diào)檢測(cè)程序范圍、參數(shù),使得直徑最大深度最深的所述平底孔(31)參考反射體獲得最大響應(yīng);
S4:調(diào)節(jié)儀器增益,使直徑最大深度最深的所述平底孔(31)的信號(hào)達(dá)到80%滿屏幕高度,并使四個(gè)平底孔聚能有效發(fā)現(xiàn),直徑最小深度最淺的所述平底孔(31)的信號(hào)達(dá)到40%滿屏幕高度。
S5:不變更檢測(cè)參數(shù),對(duì)超聲檢測(cè)的工件進(jìn)行檢測(cè),對(duì)C掃圖上的顯示進(jìn)行評(píng)定;
S6:工件檢測(cè)完成后,重新校驗(yàn)對(duì)比試塊,確認(rèn)所述平底孔(31)的波幅變化是否合格。
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