[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110822041.9 | 申請日: | 2021-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN113555404A | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發明(設計)人: | 李孟 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括有效區域以及位于所述有效區域外圍的邊框區域,所述有效區域包括顯示區和至少一個測試區,所述顯示區包括多個子像素,至少一個子像素包括像素驅動電路,所述測試區包括至少一個測試單元,所述測試單元包括測試晶體管、多個測試引線和多個測試端子,所述測試晶體管與所述像素驅動電路中至少一個晶體管的結構相同,所述多個測試端子通過所述多個測試引線與所述測試晶體管連接;所述邊框區域設置有多個測試引腳和多條連接線,所述多個測試引腳通過多條連接線與所述多個測試端子對應連接。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,至少一個測試端子以及連接所述測試端子的測試引線同層設置,且為相互連接的一體結構。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述測試單元還包括多個輔助引腳,所述多個輔助引腳通過所述多條連接線與所述多個測試引腳對應連接,所述多個測試端子通過過孔與所述多個輔助引腳對應連接。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,至少一個測試引腳、至少一個輔助引腳以及連接所述測試引腳和輔助引腳的連接線同層設置,且為相互連接的一體結構。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述多個測試端子至少包括柵測試端子、源測試端子和漏測試端子,所述多個測試引線至少包括柵測試引線、源測試引線和漏測試引線;所述測試晶體管的控制極通過所述柵測試引線與所述柵測試端子連接,所述測試晶體管的第一極通過所述源測試引線與所述源測試端子連接,所述測試晶體管的第二極通過所述漏測試引線與所述漏測試端子連接。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述測試區還包括至少一個虛擬像素,至少一個虛擬像素包括虛擬像素驅動電路,所述虛擬像素驅動電路與所述像素驅動電路的結構相同,所述虛擬像素驅動電路設置在相鄰的測試引線之間。
7.根據權利要求1至6任一項所述的顯示基板,其特征在于,在垂直于顯示基板的平面內,所述顯示基板包括在基底上依次設置的第一半導體層、第一導電層、第二導電層、第二半導體層、第三導電層、第四導電層和第五導電層;所述第一半導體層包括多個多晶硅晶體管的有源層,所述第一導電層包括多個多晶硅晶體管的柵電極和存儲電容的第一極板,所述第二導電層包括存儲電容的第二極板,所述第二半導體層包括多個氧化物晶體管的有源層,所述第三導電層包括多個氧化物晶體管的柵電極,所述第四導電層包括多個多晶硅晶體管的第一極和第二極以及多個氧化物晶體管的第一極和第二極,所述第五導電層包括數據信號線和第一電源線。
8.根據權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述多個測試端子位于所述第四導電層上。
9.根據權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述多個測試引線位于所述第四導電層或第五導電層上。
10.根據權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述測試引腳、連接線和輔助引腳位于所述第二導電層上。
11.根據權利要求1至6任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述像素驅動電路包括至少一個金屬氧化物晶體管和至少一個低溫多晶硅晶體管,所述測試區包括至少一個與所述金屬氧化物晶體管結構相同的第一測試晶體管或第二測試晶體管,以及至少一個與所述低溫多晶硅晶體管結構相同的第三測試晶體管或第四測試晶體管。
12.根據權利要求11所述的顯示基板,其特征在于,所述第一測試晶體管中第一測試有源層的第一區與第一源測試引線連接,第一測試有源層的第二區通過過孔與第一漏測試引線連接,所述第一測試晶體管中第一測試柵電極通過過孔與第一柵測試引線連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





