[發(fā)明專利]整流器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110822011.8 | 申請日: | 2021-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN113555417A | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊身園;宋順;宮箭 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所;內(nèi)蒙古大學 |
| 主分類號: | H01L29/16 | 分類號: | H01L29/16;H01L29/24;H01L29/861;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 整流器 | ||
本發(fā)明提供了一種整流器,依次包括:第一電極、溝道區(qū)和第二電極;第一電極的材料包括二硫化鉬;溝道區(qū),包括二硫化鉬層和石墨烯層,二硫化鉬層一端與石墨烯層連接形成平面內(nèi)異質結,另一端與第一電極接觸,石墨烯層另一端與第二電極接觸;第二電極的材料包括石墨烯。第一電極和第二電極與溝道區(qū)相連接,提供了電勢差,電子由于電勢差在第一電極和第二電極間傳輸,以產(chǎn)生電流。
技術領域
本發(fā)明涉及納電子學領域,特別是涉及一種整流器。
背景技術
整流器是把交流電轉換成直流電的裝置,可用于供電裝置及偵測無線電信號等,現(xiàn)有的整流器通常體積較大,難以應用于集成度高的亞十納米器件電路中,整流比通常只能達到10-104的整流比。
在實現(xiàn)本公開構思的過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關技術中至少存在如下問題:整流器件尺寸較大,不利于亞十納米器件電路集成、整流比只能達到10-104。
發(fā)明內(nèi)容
為克服至少部分上述問題,本發(fā)明提供了一種整流器,包括:
第一電極、溝道區(qū)和第二電極;
所述第一電極的材料包括二硫化鉬;
所述溝道區(qū),包括二硫化鉬層和石墨烯層,所述二硫化鉬層一端與所述石墨烯層連接形成平面內(nèi)異質結,另一端與所述第一電極接觸,所述石墨烯層另一端與所述第二電極接觸;
所述第二電極的材料包括石墨烯。
可選地,所述二硫化鉬層包括,硫原子層和鉬原子層;
一層所述鉬原子層夾在兩層所述硫原子層中間形成三明治結構。
可選地,所述鉬原子層與所述石墨烯層成鍵形成平面內(nèi)異質結。
可選地,所述硫原子層與所述石墨烯層成鍵形成平面內(nèi)異質結。
可選地,所述第一電極的二硫化鉬為n型摻雜。
可選地,所述n型摻雜摻雜濃度的范圍為1×1015cm-3至1×1019cm-3。
可選地,所述整流器的尺寸為亞十納米級。
基于上述技術方案可知,本發(fā)明至少具有以下有益效果:
本發(fā)明提供了一種整流器,依次包括:第一電極、溝道區(qū)和第二電極;第一電極的材料包括二硫化鉬;溝道區(qū),包括二硫化鉬層和石墨烯層,二硫化鉬層一端與石墨烯層連接形成平面內(nèi)異質結,另一端與第一電極接觸,石墨烯層另一端與第二電極接觸;第二電極的材料包括石墨烯。在本發(fā)明中,整流器因為使用二硫化鉬和石墨烯這種超薄的二維材料,所以整流器尺寸小,適用于更多的場景,因為使用平面異質結構型,所以界面接觸電阻小,整流器的整流比更大,整流性能更好。
附圖說明
為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)勢,現(xiàn)在將參考結合附圖的以下描述,其中:
圖1a示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的整流器的結構示意圖的俯視圖;
圖1b示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的整流器的結構示意圖的左視圖;
圖2a示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的石墨烯層和硫原子層連接的結構示意圖;
圖2b示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的石墨烯層和鉬原子層連接的結構示意圖;
圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的整流器在正負偏壓下的電勢降示意圖。
【附圖標記說明】
1-第一電極
2-溝道區(qū)
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





