[發明專利]整流器在審
| 申請號： | 202110822011.8 | 申請日： | 2021-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN113555417A | 公開（公告）日： | 2021-10-26 |
| 發明（設計）人： | 楊身園;宋順;宮箭 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所;內蒙古大學 |
| 主分類號： | H01L29/16 | 分類號： | H01L29/16;H01L29/24;H01L29/861;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 整流器 | ||
【權利要求書】：
1.一種整流器，其特征在于，依次包括：
第一電極、溝道區和第二電極；
所述第一電極的材料包括二硫化鉬；
所述溝道區，包括二硫化鉬層和石墨烯層，所述二硫化鉬層一端與所述石墨烯層連接形成平面內異質結，另一端與所述第一電極接觸，所述石墨烯層另一端與所述第二電極接觸；
所述第二電極的材料包括石墨烯。
2.根據權利要求1所述的整流器，其特征在于，所述二硫化鉬層包括，硫原子層和鉬原子層；
一層所述鉬原子層夾在兩層所述硫原子層中間形成三明治結構。
3.根據權利要求2所述的整流器，其特征在于，所述鉬原子層與所述石墨烯層成鍵形成平面內異質結。
4.根據權利要求2所述的整流器，其特征在于，所述硫原子層與所述石墨烯層成鍵形成平面內異質結。
5.根據權利要求1所述的整流器，其特征在于，所述第一電極的二硫化鉬為n型摻雜。
6.根據權利要求5所述的整流器，其特征在于，所述n型摻雜摻雜濃度的范圍為1×1015cm-3至1×1019cm-3。
7.根據權利要求1所述的整流器，其特征在于，所述整流器的尺寸為亞十納米級。
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