[發明專利]抑制錫晶須生長的后處理劑及其制備方法有效
| 申請號： | 202110820003.X | 申請日： | 2021-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN113564653B | 公開（公告）日： | 2022-09-02 |
| 發明（設計）人： | 孫沈良;黃海賓 | 申請（專利權）人： | 海寧市科泰克金屬表面技術有限公司 |
| 主分類號： | C25D5/48 | 分類號： | C25D5/48;C25D3/32 |
| 代理公司： | 嘉興海創專利代理事務所(普通合伙) 33251 | 代理人： | 王曦 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抑制 須生 處理 及其 制備 方法 | ||
1.一種抑制錫晶須生長的后處理劑，其特征在于，包括如下按質量百分數計的各組分：
0.1-20wt％長鏈烷烴基亞磷酸，其碳原子數不少于4；
0.1-20wt％長鏈烷烴基亞磷酸酯，其碳原子數不少于4；
余量為高沸點烷烴溶劑。
2.根據權利要求1所述的抑制錫晶須生長的后處理劑，其特征在于，所述長鏈烷烴基亞磷酸為N-十八烷基亞磷酸。
3.根據權利要求2所述的抑制錫晶須生長的后處理劑，其特征在于，所述長鏈烷烴基亞磷酸酯為三(N-十八烷基)亞磷酸酯。
4.根據權利要求3所述的抑制錫晶須生長的后處理劑，其特征在于，所述N-十八烷基亞磷酸與三(N-十八烷基)亞磷酸酯的質量為比為(1-1.5):(2-2.5)。
5.根據權利要求4所述的抑制錫晶須生長的后處理劑，其特征在于，所述烷烴溶劑為ISOPAR G，其沸點大于60℃。
6.根據權利要求5所述的后處理劑的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、將N-十八烷基亞磷酸按照一定質量比加入ISOPAR G并混合攪拌均勻；
S2、在S1中的溶液中，按質量比加入一定量的三(N-18烷基)亞磷酸酯，控制溫度并充分攪拌；
S3、將S2中的溶液過濾；
S4、對S3中的組合物成品進行包裝。
7.根據權利要求6所述的后處理劑的制備方法，其特征在于，S2中攪拌溫度控制在10-30℃，攪拌時間為2-4h。
8.根據權利要求6所述的后處理劑的制備方法，其特征在于，S3中溶液過濾精度為1-10μm。
9.根據權利要求1-4中任一一項所述的后處理劑的的使用方法，其特征在于，后處理劑的使用溫度為10-30℃。
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