[發明專利]一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法在審
| 申請號： | 202110814247.7 | 申請日： | 2021-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN113539841A | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發明（設計）人： | 杜晶;徐亞平 | 申請（專利權）人： | 四川科爾威光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都市鼎宏恒業知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人： | 羅杰 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生產 制造 合金 薄膜 集成電路 工藝 方法 | ||
1.一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1、在基片上覆蓋種子層；
S2、對種子層光刻后進行金層圖形層電沉積；
S3、對金層圖形層光刻后覆蓋進行Pt圖形層；
S4、對Pt圖形層光刻后進行金錫合金層電沉積，并進行干法蝕刻、切割。
2.根據權利要求1所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述S3步驟中，Pt圖形層的厚度為5000-50000埃。
3.根據權利要求1所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述S3步驟中，Pt圖形層通過電子束蒸鍍、磁控濺射、電沉積三種方式中的一種制作。
4.根據權利要求1所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述S3步驟中，電沉積Pt圖形層中電鍍工藝溫度為70-85℃，電流密度為1-3A/dm2。
5.根據權利要求4所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述S4步驟中，金錫合金層的外沿尺寸小于Pt圖形層10-50um。
6.根據權利要求5所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述S4步驟中電沉積金錫合金層所用電鍍液包括以下原料組分：金鹽3～5g/L、金絡合劑10～50g/L、錫鹽4～15g/L、光亮劑0.1～1g/L、穩定劑3～15g/L、去離子水。
7.根據權利要求1所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述S4步驟中，電沉積金錫合金層中控制電鍍工藝溫度為40-55℃，電流密度為0.2-0.8A/dm2。
8.根據權利要求6所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述錫鹽為錫酸鈉。
9.根據權利要求1所述的一種用于生產制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，其特征在于：所述種子層包括由基片向外依次設置的Ti金屬層、Pt金屬層和Au金屬層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
