[發(fā)明專利]一種用于生產(chǎn)制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法

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• 申請日: 2021-07-19
• 公開（公告）號: CN113539841A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設計）人: 杜晶;徐亞平
• 申請（專利權(quán)）人: 四川科爾威光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 成都市鼎宏恒業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 51248
• 代理人: 羅杰

本發(fā)明公開了一種用于生產(chǎn)制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，包括以下步驟：S1、在基片上覆蓋種子層；S2、對種子層光刻后進行金層圖形層電沉積；S3、對金層圖形層光刻后覆蓋進行Pt圖形層；S4、對Pt圖形層光刻后進行金錫合金層電沉積，并進行干法蝕刻、切割。在金層圖形層外先覆蓋Pt圖形層，進而使特制的金錫電鍍液通過電沉積的方式覆蓋在Pt圖形層上形成穩(wěn)定的金錫合金層，提高生產(chǎn)工藝的精準度，大大減小貴金屬浪費，將金錫合金集成在薄膜電路上，可以大大縮小光模塊的體積，提高集成度。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及光通信技術(shù)領域，特別是一種用于生產(chǎn)制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法。

背景技術(shù)

金錫合金廣泛應用于光通信領域，隨著光通信信號傳輸數(shù)據(jù)量的增加，對光模塊中的光芯片數(shù)目集成度也越來越多。光芯片是通過集成在熱沉中的金錫合金與熱沉焊接在一起的，因此金錫合金的耐共晶時間就決定了熱沉可集成光芯片的數(shù)量。

目前，現(xiàn)有技術(shù)中沒有成熟的金錫合金薄膜集成電路制造工藝，現(xiàn)行采用的傳統(tǒng)的電子束蒸鍍工藝，生產(chǎn)成本高，工藝精度低，工藝穩(wěn)定性差，生產(chǎn)周期長，環(huán)境污染等問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供一種用于生產(chǎn)制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法。

本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：

一種用于生產(chǎn)制造金錫合金薄膜集成電路的工藝方法，包括以下步驟：

S1、在基片上覆蓋種子層；

S2、對種子層光刻后進行金層圖形層電沉積；

S3、對金層圖形層光刻后覆蓋進行Pt圖形層；

S4、對Pt圖形層光刻后進行金錫合金層電沉積，并進行干法蝕刻、切割。

進一步的技術(shù)方案是，所述S3步驟中，Pt圖形層的厚度為5000-50000埃。

更進一步的技術(shù)方案是，所述S3步驟中，Pt圖形層通過電子束蒸鍍、磁控濺射、電沉積三種方式中的一種制作。

更進一步的技術(shù)方案是，所述S3步驟中，電沉積Pt圖形層中電鍍工藝溫度為70-85℃，電流密度為1-3A/dm²。

更進一步的技術(shù)方案是，所述S4步驟中，金錫合金層的外沿尺寸小于Pt圖形層10-50um。

更進一步的技術(shù)方案是，所述S4步驟中電沉積金錫合金層所用電鍍液包括以下原料組分：金鹽3～5g/L、金絡合劑10～50g/L、錫鹽4～15g/L、光亮劑0.1～1g/L、穩(wěn)定劑3～15g/L、去離子水。

更進一步的技術(shù)方案是，所述S4步驟中，電沉積金錫合金層中控制電鍍工藝溫度為40-55℃，電流密度為0.2-0.8A/dm²。

更進一步的技術(shù)方案是，所述錫鹽為錫酸鈉。

更進一步的技術(shù)方案是，所述種子層包括由基片向外依次設置的Ti金屬層、Pt金屬層和Au金屬層。

本發(fā)明具有以下優(yōu)點：

本申請通過在金層圖形層外先覆蓋Pt圖形層，進而使特制的金錫電鍍液通過電沉積的方式覆蓋在Pt圖形層上形成穩(wěn)定的金錫合金層，提高生產(chǎn)工藝的精準度，大大減小貴金屬浪費，將金錫合金集成在薄膜電路上，可以大大縮小光模塊的體積，提高集成度。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的工藝流程圖。

具體實施方式