[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110812977.3 | 申請日: | 2021-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN113571561A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 趙利軍 | 申請(專利權)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,具有顯示區和至少部分圍繞所述顯示區設置的邊框區,所述邊框區包括平坦區、第一隔斷區和第二隔斷區,所述平坦區和所述顯示區相鄰設置,所述顯示面板包括:
顯示器件層;
觸控層,設于所述顯示器件層一側且位于所述顯示區;
鈍化層,設于所述觸控層背離所述顯示器件層一側;
折射層,覆蓋于所述鈍化層背離所述顯示器件層一側;
平坦部,設置于所述平坦區,所述平坦部包括觸控材料層和第一鈍化材料層,所述觸控材料層與所述觸控層同層設置,所述第一鈍化材料層和所述鈍化層同層設置,且所述折射層覆蓋所述第一鈍化材料層;
隔斷部,設于所述第二隔斷區,相鄰的所述隔斷部通過第一凹槽間隔設置,所述隔斷部包括第二鈍化材料層,在所述平坦部和所述隔斷部之間的所述第一隔斷區內形成有第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽至少部分暴露所述顯示器件層。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述觸控層包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的第一無機層、觸控電極層、第二無機層以及跨橋連接層,所述隔斷部還包括層疊設置的第一無機材料層和第二無機材料層,所述第二鈍化材料層設于所述第二無機材料層背離所述第一無機材料層一側,所述第一無機層的材料和所述第一無機材料層相同,所述第二無機層的材料和所述第二無機材料層相同。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,還包括覆蓋于所述第二凹槽所暴露的所述顯示器件層的第三無機材料層和第四無機材料層,所述第三無機材料層的材料和所述第一無機層相同,所述第四無機材料層的材料和所述第二無機層相同。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,還包括覆蓋于所述第一凹槽所暴露的所述顯示器件層的第五無機材料層和第六無機材料層,所述第五無機材料層的材料和所述第一無機層相同,所述第六無機材料層的材料和所述第二無機層相同。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述跨橋連接層包括多個間隔設置的連接電極,所述鈍化層包括鈍化單元,各所述鈍化單元在所述觸控層上的正投影覆蓋各所述連接電極。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示器件層包括沿所述顯示面板的膜層堆疊方向層疊設置的陣列層、發光層以及設于所述發光層一側的封裝層,所述觸控層設于所述封裝層背離所述陣列層一側,所述封裝層設于所述顯示區和所述邊框區,所述第二凹槽至少暴露部分所述封裝層。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述隔斷部至少部分設于所述封裝層上,且所述第一凹槽至少暴露部分所述封裝層。
8.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一無機層為氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一種,所述第二無機層為氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一種;
優選的,所述第一無機層和所述第二無機層的材料不同。
9.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在沿所述顯示面板的膜層堆疊方向,所述折射層的厚度為10μm~50μm。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至9任一項所述的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于云谷(固安)科技有限公司,未經云谷(固安)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110812977.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:裝配式電纜保護管及其接地方法
- 下一篇:一種汽車滾邊裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





